CY14B116L-Z45XI

CY14B116L-Z45XI от Infineon

Общее Описание

CY14B116L-Z45XI – это NVSRAM (Non-Volatile SRAM) микросхема памяти емкостью 16 мегабит, производимая компанией Infineon. Этот компонент сочетает в себе высокую скорость оперативной памяти SRAM с неэлектрической энергонезависимостью, обеспеченной встроенной флэш-памятью.

Преимущества

• Быстрый доступ: Время доступа 45 нс, что обеспечивает высокую быстродействие.
• Энергонезависимость: Содержимое SRAM автоматически и мгновенно сохраняется в энергонезависимой памяти при сбое питания.
• Широкий диапазон напряжения питания: Поддерживает диапазон 2.7V ~ 3.6V.
• Устойчивость к температурным изменениям: Работает в диапазоне температур от -40°C до 85°C, что делает компонент пригодным для промышленных применений.

Недостатки

• Стоимость: NVSRAM часто дороже по сравнению с традиционными SRAM и DRAM из-за своей многофункциональности и энергонезависимости.
• Размер корпуса: Относительно большой корпус 48-TSOP I может быть неудобен для некоторых приложений с ограничениями по площади.

Типовое Использование

• Автоматизация промышленности: Системы управления и контроль, где требуется сохранение данных при внезапном отключении питания.
• Медицинское оборудование: Устройства, где целостность данных критична.
• Телекоммуникации и сети: Системы, требующие надежного хранения и быстрого доступа к данным.
• Автомобильная электроника: Всякие устройства, где комбинируется высокое быстродействие и энергонезависимость.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Учитывая диапазон рабочих температур, желательно предусмотреть адекватное охлаждение для поддержания максимальной надежности.
• Энергопитание: Убедитесь, что источник питания стабилен в указанных пределах напряжения (2.7V ~ 3.6V), для предотвращения сбоев.
• Разводка платы: Разрабатывая печатную плату, необходимо учитывать требования к заземлению и сигнальным линиям для обеспечения стабильной работы при высокой скорости доступа.

Основные Технические Характеристики

• Тип памяти: NVSRAM
• Размер памяти: 16 мегабит (2M x 8)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время записи: 45 нс
• Время доступа: 45 нс
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Корпус: 48-TSOP I

Возможные Аналоги

• CY14B116K-Z45XI: Аналогичный компонент, также производимый Infineon.
• FM28V020-TG: NVSRAM микросхема от другого производителя.
• IS61LV25616AL-10TLI-TR: Альтернативный вариант с аналогичными характеристиками от Integrated Silicon Solution Inc.

Эти аналоги могут предложить схожие функциональные возможности, однако важно убедиться в полной совместимости перед заменой.