CY14B108N-BA45XI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Информация о компоненте: CY14B108N-BA45XI от Infineon
Общее описание
CY14B108N-BA45XI – это энергозависимая статическая оперативная память (NVSRAM) емкостью 8 Мбит от компании Infineon Technologies. Использование NVSRAM обеспечивает надежное хранение данных и быстрый доступ к ним благодаря объединению свойств SRAM и энергонезависимой памяти.
Преимущества
- Высокая скорость доступа: время доступа составляет всего 45 наносекунд, что обеспечивает быстрый обмен данными.
- Надежное хранилище данных: объединение свойств SRAM и энергонезависимой памяти гарантирует сохранность данных даже при отключении питания.
- Широкий диапазон напряжения питания: поддержка диапазона 2.7V - 3.6V позволяет использовать память в различных условиях.
- Рабочий температурный диапазон: от -40°C до 85°C, что делает компонент пригодным для использования в жестких условиях окружающей среды.
Недостатки
- Стоимость: NVSRAM может быть дороже по сравнению с традиционной SRAM или Flash-памятью.
- Ограниченный объем: 8 Мбит может быть недостаточно для приложений, требующих большего объема памяти.
Типовое использование
- Промышленные системы автоматизации: для хранения данных конфигурации и состояния системы.
- Медицинское оборудование: где необходимо сохранять важные данные при отключении питания.
- Сетевые устройства: для хранения данных настроек и логов.
- Автомобильная электроника: где требуются быстрый доступ и надежное хранение данных.
Рекомендации по применению
- Используйте в приложениях, где критически важна сохранность данных при отключении питания.
- Обеспечьте правильное питание и условия эксплуатации в соответствии с техническими характеристиками, чтобы предотвратить сбои в работе компонентов.
- Интегрируйте с микроконтроллерами и процессорами, которые поддерживают параллельный интерфейс для максимальной скорости передачи данных.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM
- Емкость памяти: 8 Мбит (512K x 16)
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Время доступа: 45 нс
- Напряжение питания: 2.7V - 3.6V
- Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ 85°C (TA)
- Корпус: 48-FBGA (6x10)
- Установка: Поверхностный монтаж
Возможные аналоги
- CY14B104N-BA45XI: аналогичный компонент NVSRAM с меньшей емкостью.
- CY14C104N-BA45XI: другой вариант от Infineon с аналогичной функциональностью, но другими тепловыми характеристиками.
Используйте CY14B108N-BA45XI от Infineon для повышения надежности и скорости ваших приложений, требующих сохранение данных при отключении питания.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.