CY14B108N-BA45XI

12 720,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Информация о компоненте: CY14B108N-BA45XI от Infineon

Общее описание

CY14B108N-BA45XI – это энергозависимая статическая оперативная память (NVSRAM) емкостью 8 Мбит от компании Infineon Technologies. Использование NVSRAM обеспечивает надежное хранение данных и быстрый доступ к ним благодаря объединению свойств SRAM и энергонезависимой памяти.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: время доступа составляет всего 45 наносекунд, что обеспечивает быстрый обмен данными.
  • Надежное хранилище данных: объединение свойств SRAM и энергонезависимой памяти гарантирует сохранность данных даже при отключении питания.
  • Широкий диапазон напряжения питания: поддержка диапазона 2.7V - 3.6V позволяет использовать память в различных условиях.
  • Рабочий температурный диапазон: от -40°C до 85°C, что делает компонент пригодным для использования в жестких условиях окружающей среды.

Недостатки

  • Стоимость: NVSRAM может быть дороже по сравнению с традиционной SRAM или Flash-памятью.
  • Ограниченный объем: 8 Мбит может быть недостаточно для приложений, требующих большего объема памяти.

Типовое использование

  • Промышленные системы автоматизации: для хранения данных конфигурации и состояния системы.
  • Медицинское оборудование: где необходимо сохранять важные данные при отключении питания.
  • Сетевые устройства: для хранения данных настроек и логов.
  • Автомобильная электроника: где требуются быстрый доступ и надежное хранение данных.

Рекомендации по применению

  • Используйте в приложениях, где критически важна сохранность данных при отключении питания.
  • Обеспечьте правильное питание и условия эксплуатации в соответствии с техническими характеристиками, чтобы предотвратить сбои в работе компонентов.
  • Интегрируйте с микроконтроллерами и процессорами, которые поддерживают параллельный интерфейс для максимальной скорости передачи данных.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Емкость памяти: 8 Мбит (512K x 16)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 45 нс
  • Напряжение питания: 2.7V - 3.6V
  • Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Корпус: 48-FBGA (6x10)
  • Установка: Поверхностный монтаж

Возможные аналоги

  • CY14B104N-BA45XI: аналогичный компонент NVSRAM с меньшей емкостью.
  • CY14C104N-BA45XI: другой вариант от Infineon с аналогичной функциональностью, но другими тепловыми характеристиками.

Используйте CY14B108N-BA45XI от Infineon для повышения надежности и скорости ваших приложений, требующих сохранение данных при отключении питания.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК