CY14B108N-BA25XI

Описание для CY14B108N-BA25XI от Infineon

Общее описание

CY14B108N-BA25XI — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) емкостью 8 Мбит, произведенная компанией Infineon. Этот компонент сочетает в себе высокую скорость работы и энергонезависимость, обеспечивая надежное сохранение данных даже при отключении питания. Он поставляется в корпусе 48-FBGA (6x10).

Преимущества

• Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 25 нс, что обеспечивает быстродействие приложениям.
• Энергонезависимость: Обеспечивает сохранение данных при отключении питания без необходимости в батареях или конденсаторах.
• Широкий диапазон температур: Работоспособность гарантирована в диапазоне от -40°C до +85°C, что позволяет использовать компонент в жестких условиях эксплуатации.

Недостатки

• Цена: Из-за сложной внутренней архитектуры NVSRAM компоненты могут быть дороже по сравнению с обычными SRAM или DRAM.
• Потребление энергии: В некоторых случаях NVSRAM может потреблять больше энергии по сравнению с другими типами памяти.

Типовое использование

• Критичные системы хранения данных, такие как системы управления в автомобилях.
• Медицинские устройства и приборы, где надежное сохранение данных имеет критическое значение.
• Промышленные и аэрокосмические приложения, требующие устойчивости к экстремальным условиям.

Рекомендации по применению

• Правильное управление питанием: Убедитесь, что питание компонента находится в пределах рекомендуемого диапазона для обеспечения надежной работы.
• Температурный режим: Используйте компонент в пределах допустимого температурного диапазона.
• Проектирование схемы: Учтите особенности интерфейса NVSRAM при разработке схемы для обеспечения максимальной производительности.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Емкость памяти: 8 Мбит (512K x 16)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время доступа: 25 нс
• Время записи: 25 нс
• Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
• Рабочая температура: -40°C ~ +85°C
• Корпус: 48-FBGA (6x10)

Возможные аналоги

• CY14B104K-SP25XIT: NVSRAM с аналогичными характеристиками, но с меньшей емкостью памяти (4 Мбит).
• IS62WV51216EBLL: SRAM с аналогичной емкостью и временем доступа, но без энергонезависимости.

Заключение

CY14B108N-BA25XI от Infineon — это высокоскоростная и надежная энергонезависимая память, идеально подходящая для применения в критически важных системах хранения данных. Благодаря своим отличным техническим характеристикам и надежности, этот компонент является отличным выбором для широкого спектра высокопроизводительных приложений.