CY14B108M-ZSP25XI

CY14B108M-ZSP25XI от Infineon - Описание для интернет-магазина

Общее описание: CY14B108M-ZSP25XI – энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) емкостью 8 мегабит, производства Infineon Technologies. Этот компонент обеспечивает высокую скорость работы и надежное хранение данных даже при потере питания, что делает его идеальным для критических приложений, где требуется высокая скорость и целостность данных.

Преимущества:

• Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 25 наносекунд, что позволяет использовать этот компонент в высокоскоростных системах.
• Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания, благодаря встроенной функции энергозависимого хранения.
• Широкий диапазон рабочих температур: Рабочая температура от -40°C до 85°C, что позволяет использовать компонент в различных условиях окружающей среды.
• Надежность: Высокая надежность хранения данных за счет технологии NVSRAM, представляющей собой комбинацию статической оперативной памяти (SRAM) и энергонезависимого хранилища (Non-volatile).

Недостатки:

• Цена: NVSRAM компоненты могут быть дороже по сравнению с традиционными SRAM или DRAM модулями.
• Объем памяти: Может не подходить для приложений, требующих больших объемов памяти.

Типовое использование:

• Системы хранения данных
• Промышленные контроллеры
• Автоматизированные системы
• Медицинское оборудование
• Автомобильные системы
• Программируемые логические контроллеры (ПЛК)

Рекомендации по применению:

• Обеспечьте адекватное охлаждение и соблюдайте максимальные температуры эксплуатации для надежной работы.
• Включите защитные компоненты на линиях питания для предотвращения повреждений при скачках напряжения.
• Используйте данную NVSRAM в системах, требующих сохранности данных при внезапных отключениях питания.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Объем памяти: 8 мегабит (512K x 16)
• Тип интерфейса: Параллельный
• Время доступа: 25 наносекунд
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Рабочая температура: от -40°C до 85°C
• Корпус: 54-TSOP II (10.16 мм ширина)
• Монтаж: Поверхностный монтаж (SMD)

Возможные аналоги:

• CY14B108L-ZSP25XI от Infineon (аналогичный компонент с различием в напряжении питания)
• IS62WV51216DBLL от ISSI (аналогичный NVSRAM компонент)
• AS6C8016 от Alliance Memory (аналогичный модуль памяти с параллельным интерфейсом)

Используйте CY14B108M-ZSP25XI для создания надежных и быстрых систем хранения данных, обеспечивая стабильную и безопасную работу ваших устройств.