CY14B108K-ZS25XI

15 360,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Микросхема: CY14B108K-ZS25XI

Общее описание

CY14B108K-ZS25XI — это непостоянное статическое оперативное запоминающее устройство (NVSRAM) производства компании Infineon Technologies. Этот чип сочетает в себе высокоскоростное статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) с надежной непостоянной памятью, позволяя сохранять данные при отключении питания.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Минимальное время доступа 25 нс обеспечивает быструю обработку данных.
  • Надежное хранение данных: Возможность сохранения данных даже при отключении питания.
  • Широкий диапазон напряжений: Рабочее напряжение от 2.7V до 3.6V, что позволяет интеграцию в различные системы.
  • Широкий температурный диапазон: Операционная температура от -40°C до 85°C, что делает возможным применение в промышленной автоматике и автомобильных системах.

Недостатки

  • Стоимость: Стоимость NVSRAM выше по сравнению с традиционными SRAM и DRAM модулями, что может увеличить цену конечного продукта.
  • Сложность интеграции: Требует тщательной интеграции в систему питания для полного использования возможностей непостоянной памяти.

Типовое использование

  • Промышленная автоматика: Используется для хранения текущих состояний разных систем и предотвращения потерь данных при неожиданных сбоях питания.
  • Автомобильные системы: Идеально подходит для хранения диагностических данных, логов и конфигураций.
  • Медицинские приборы: Применяется для хранения параметров, требующих надежного сохранения даже при отключении питания устройства.

Рекомендации по применению

  • Оптимально использовать в системах, где требуется высокая надежность и скорость доступа к данным.
  • Следует учитывать требования к стабильности источника питания для предотвращения потерь данных.
  • Рекомендуется использование в системах с ограничениями по доступу к энергонезависимой памяти.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Организация памяти: 1M x 8 (8Mbit)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время записи/чтения: 25 нс
  • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
  • Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 44-выводной TSOP II

Возможные аналоги

  • CY14B104K-SZ25XI: Аналогичная микросхема с меньшим объёмом памяти (4Мбит)
  • FM28V020-TG: 256 Kbit параллельное FeRAM, подходящее для задач с меньшими requirements к объёму памяти, но с быстрым доступом.

С помощью CY14B108K-ZS25XI можно значительно улучшить надежность и скорость работы ваших проектов, требующих быстрого и надежного доступа к данным даже в случае сбоев питания.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК