CY14B104NA-ZSP25XI

7 680,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY14B104NA-ZSP25XI от Infineon

Общее описание:
CY14B104NA-ZSP25XI – это несбрасываемая SRAM-память (NVSRAM) с объёмом 4 Мбит, выпускаемая компанией Infineon. Отличительной особенностью этой памяти является наличие энергонезависимого хранения данных, что позволяет сохранять информацию даже при отсутствии питания. Эта память выполнена в корпусе TSOP II с 54 выводами и поддерживает параллельный интерфейс для высокой скорости передачи данных.

Преимущества:

  • Надежное хранение данных: NVSRAM объединяет быстродействующую SRAM-память и энергонезависимое запоминающее устройство на основе ферритово-магнитного эффекта.
  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 25 нс, что подходит для высокопроизводительных приложений.
  • Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания, обеспечивая надежность и защиту данных в критических системах.

Недостатки:

  • Стоимость: NVSRAM обычно дороже, чем традиционные типы памяти, такие как DRAM или SDRAM.
  • Сложность интеграции: Учитывая наличие сложных механизмов энергонезависимого хранения данных, интеграция этого компонента может потребовать дополнительных усилий при проектировании.

Типовое использование:

  • Промышленные контроллеры: Хранение конфигурационных данных и оперативных данных системы.
  • Медицинские приборы: Обеспечение надежного хранения данных пациента при сбоях питания.
  • Автомобильная электроника: Хранение критически важных данных безопасности и навигационных систем.

Рекомендации по применению:

  • Убедитесь в наличии стабильной схемы питания для гарантии долгосрочной надежности этого компонента.
  • При проектировании платы уделяйте внимание разводке корпуса TSOP II для минимизации помех и обеспечения стабильной работы.
  • Используйте параллельный интерфейс для достижения максимальной скорости передачи данных.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: NVSRAM (несбрасываемая SRAM-память)
  • Объем памяти: 4 Мбит (256K x 16)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 25 нс
  • Напряжение питания: 2.7В – 3.6В
  • Рабочая температура: -40°C – 85°C
  • Корпус: 54-выводной TSOP II (10.16мм ширина)

Возможные аналоги:

  • CY14B101Q3-SP25XI: Infineon NVSRAM с ёмкостью 1Мбит, параллельный интерфейс, 25 нс время доступа.
  • CY14B256Q3-SP25XI: Infineon NVSRAM с ёмкостью 256Kbit, параллельный интерфейс, 25 нс время доступа.

Используя CY14B104NA-ZSP25XI, вы получите надежное и высокопроизводительное решение для хранения данных в критически важных приложениях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК