CY14B104NA-ZS45XI

CY14B104NA-ZS45XI от Infineon

Общее описание

CY14B104NA-ZS45XI - это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) производства Infineon, обладающая ёмкостью 4 Мбит и выполненная в 44-выводном корпусе TSOP II. Этот компонент объединяет достоинства оперативной памяти и энергонезависимой памяти с параллельным интерфейсом для широкого спектра применений.

Преимущества

• Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания.
• Быстрая работа: Время записи и доступа составляет всего 45 нс.
• Высокая плотность памяти: 4 Мбит с организацией 256K x 16 делает этот модуль идеальным для хранения больших объёмов данных.
• Широкий диапазон напряжения питания: Работает при напряжении от 2.7 В до 3.6 В.
• Широкий температурный диапазон: Подходит для работы в условиях от -40°C до +85°C.

Недостатки

• Стоимость: NVSRAM модули обычно дороже по сравнению с традиционной SRAM.
• Потребление энергии: Несмотря на энергонезависимость, потребление энергии может быть выше по сравнению с другими типами памяти.

Типовое использование

• Промышленные системы управления
• Автомобильные системы
• Авиационная и космическая техника
• Медицинское оборудование

Рекомендации по применению

• В ситуациях, где требуется сохранение данных при отключении питания.
• В системах, требующих мгновенного доступа к данным с высокой скоростью.
• При проектировании надёжных систем, где потеря данных недопустима.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM
• Объем памяти: 4 Мбит (256К x 16)
• Интерфейс: Параллельный
• Время записи/чтения: 45 нс
• Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
• Температурный диапазон: -40°C ~ +85°C
• Корпус: 44-выводной TSOP II

Возможные аналоги

• STK12C68 от STMicroelectronics
• IS61WV102416BLL от ISSI

Этот компонент отлично подходит для вашего проекта, если вы ищете надёжную и высокопроизводительную энергонезависимую память. Добавьте его в свою корзину, чтобы воспользоваться всеми его преимуществами.