CY14B104NA-ZS20XI

9 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY14B104NA-ZS20XI от Infineon

Общее описание

CY14B104NA-ZS20XI — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) от компании Infineon с емкостью 4 Мбит. Этот тип памяти объединяет в себе преимущества SRAM с высокой производительностью и надежными механизмами сохранения данных благодаря встроенной энергонезависимой памяти. Это делает компонент идеальным для использования в критических приложениях, где требуется высокая скорость доступа к данным в сочетании с их долговременным сохранением.

Преимущества

  • Энергонезависимость данных: сохранение данных даже при отключении питания.
  • Высокая производительность: быстродействие SRAM.
  • Широкий диапазон напряжения питания: от 2.7В до 3.6В.
  • Широкий диапазон температур: от -40°C до 85°C.
  • Компактный корпус: 44-TSOP II, что позволяет использование в различных устройствах.

Недостатки

  • Стоимость: NVSRAM обычно дороже обычной SRAM памяти из-за дополнительных механизмов энергонезависимости.
  • Сложность интеграции: требует тщательного проектирования схемы для обеспечения надежного хранения данных.

Типовое использование

  • Промышленные контроллеры.
  • Медицинское оборудование.
  • Автомобильная электроника.
  • Энергетические системы.
  • Передача данных и телекоммуникации.

Рекомендации по применению

  1. Разработка схемы питания: обеспечьте стабилизированный источник питания в диапазоне 2.7В-3.6В.
  2. Температурный контроль: используйте в условиях, поддерживающих рабочий температурный диапазон от -40°C до 85°C.
  3. Интеграция с микроконтроллером: внимательно разработайте интерфейс для обеспечения высокой скорости обмена данными по параллельному интерфейсу.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM).
  • Емкость памяти: 4 Мбит (256K x 16).
  • Время записи: 20 нс.
  • Время доступа: 20 нс.
  • Напряжение питания: 2.7В ~ 3.6В.
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA).
  • Корпус: 44-TSOP (10.16 мм ширина).

Возможные аналоги

  • FM25V20A-GTR от Cypress — 2 Мбит NVSRAM.
  • MR48V128M28VTF от Renesas — 128K x 8 NVSRAM.

Этот компонент предлагает высокие характеристики производительности и сохранности данных, что делает его подходящим для критических и ответственных приложений в различных отраслях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК