CY14B104NA-BA45XI

Описание для CY14B104NA-BA45XI от Infineon

Общее описание

CY14B104NA-BA45XI — это высоконадежная энергонезависимая SRAM (NVSRAM) память ёмкостью 4 Мбит от компании Infineon. Эта память объединяет в себе преимущества быстрой SRAM и надежность non-volatile памяти, обеспечивая оптимальные условия для хранения данных. Устройство работает в широком диапазоне напряжения и может использоваться даже в экстремальных температурных условиях.

Преимущества

• Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 45 наносекунд, что обеспечивает быструю работу с данными.
• Надежность хранения: Энергонезависимая природа памяти гарантирует сохранение данных даже при отключении питания.
• Широкий диапазон рабочих температур: Подходит для использования в температурных условиях от -40°C до 85°C.
• Широкий диапазон напряжения питания: Работает при напряжении от 2.7В до 3.6В, что делает его универсальным решением для различных приложений.

Недостатки

• Стоимость: NVSRAM память может быть дороже по сравнению с другими типами памяти, такими как DRAM или обычная SRAM.
• Сложность в проектировании: Требует дополнительных усилий при интеграции в сложные схемы.

Типовое использование

• Промышленные системы: Благодаря своей надежности и широкому диапазону рабочих температур, идеально подходит для промышленных применений.
• Медицинское оборудование: Обеспечивает надежное хранение критически важных данных.
• Автомобильная электроника: Подходит для автомобильных систем, требующих высокой надежности и быстрого доступа к данным.
• Системы аварийного питания: Используется в приложениях, где важна непрерывность хранения данных при потере питания.

Рекомендации по применению

• Проектирование схем с низким энергопотреблением: Рекомендуется использовать в системах, где низкое энергопотребление является критическим фактором.
• Использование в условиях экстремальных температур: Следует учитывать способность устройства работать в экстремальных температурных условиях.
• Обеспечение надёжного питания: Учитывайте требования к напряжению питания, чтобы избежать сбоев в работе памяти.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM
• Объем памяти: 4 Мбит (256K x 16)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время доступа: 45 наносекунд
• Напряжение питания: 2.7В ~ 3.6В
• Рабочие температуры: -40°C ~ 85°C
• Корпус/Тип упаковки: 48-TFBGA (6x10)

Возможные аналоги

• CY14B104LA-SZ45XI: Аналогичная NVSRAM память с подобными характеристиками от Infineon.
• FM24CL64B-G: 64-Кбит FRAM от Cypress, подходящая для приложений, где требуется меньший объем памяти и меньшая стоимость.
• IS61WV102416BLL-10TLI: 16Mbit low-power SRAM от ISSI, подходящая для приложений, где требуется больший объем памяти и низкое энергопотребление.

Используя CY14B104NA-BA45XI от Infineon, вы получаете высокую скорость работы с данными, надежность их хранения и возможность эксплуатации в различных экстремальных условиях, что делает этот компонент идеальным выбором для широкого спектра приложений.