CY14B104NA-BA25XI

Общее описание

CY14B104NA-BA25XI – это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) от компании Infineon с емкостью 4 Мбит. Этот компонент объединяет быстродействие SRAM и долговременное хранение данных, обеспечиваемое технологиями NVSRAM. Чип предоставляет высокую скорость доступа и хранения данных, что делает его подходящим для разнообразных приложений в промышленных и профессиональных системах.

Преимущества

• Быстрая запись и чтение данных: Время доступа составляет 25 нс, что позволяет обеспечивать высокую производительность в критичных приложениях.
• Энергонезависимая память: Обеспечивает сохранение данных даже в случае отключения питания.
• Широкий диапазон рабочих температур: От -40°C до 85°C, что позволяет использовать его в тяжелых эксплуатационных условиях.
• Надежность и долговечность: Высокая стойкость к износу и долговременная надежность хранения данных.

Недостатки

• Цена: Высокая стоимость по сравнению с традиционными SRAM и DRAM.
• Потребление энергии: Может потреблять больше энергии по сравнению с некоторыми другими видами памяти.

Типовое использование

• Промышленные контрольно-измерительные приборы
• Автоматизация производственных процессов
• Медицинские устройства и оборудование
• Телекоммуникационные системы
• Автомобильная электроника

Рекомендации по применению

• При проектировании схем с использованием CY14B104NA-BA25XI рекомендуется обеспечить качественное питание и защиту от электромагнитных помех.
• Для повышения надежности рекомендуется использовать системные меры по контролю температуры и влажности.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Емкость памяти: 4 Мбит
• Организация памяти: 256K x 16
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время цикла записи: 25 нс
• Время доступа: 25 нс
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
• Тип корпуса: 48-TFBGA (6x10)

Возможные аналоги

• CY14B101LA-BA25XI от Infineon – 1 Мбит NVSRAM
• FM24V10-G от Cypress – 1 Мбит F-RAM
• IS61WV5128BLL-10TLI от ISSI – 4 Мбит Asynchronous SRAM

Эта энергонезависимая статическая оперативная память отлично подойдет для критических приложений, где важна скорость и надежность хранения данных.