CY14B104NA-BA25I

6 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY14B104NA-BA25I - NVSRAM от Infineon

Общее описание

CY14B104NA-BA25I — это высокопроизводительная память NVSRAM (Non-Volatile SRAM) объёмом 4 Мбит, работающая на основе параллельного интерфейса. Этот компонент объединяет преимущества быстрого доступа SRAM с неизменным хранением данных благодаря встроенной энергонезависимой памяти.

Основные преимущества

  • Высокоскоростной доступ: Время доступа составляет всего 25 нс, что обеспечивает быструю работу в критических приложениях.
  • Неизменяемость данных: Содержимое сохраняется даже при отключении питания благодаря технологии NVSRAM.
  • Широкий диапазон напряжений: Рабочее напряжение от 2,7 В до 3,6 В позволяет использовать компонент в различных системах.
  • Температурный диапазон: Поддерживает работу в температурном диапазоне от -40°C до +85°C, что подходит для промышленного применения.

Недостатки

  • Сложность монтажа: Поверхностный монтаж в корпусе 48-FBGA (6x10) требует точной пайки, что может потребовать специализированного оборудования.
  • Поддержка устаревших устройств: Компонент считается устаревшим (Obsolete), то есть может быть трудно найти новые компоненты или техническую поддержку.

Типовое использование

  • Промышленные системы: Для хранения конфигурационных данных и журналов событий.
  • Сетевое оборудование: Кэширование быстрых данных, которые должны быть защищены от потерь питания.
  • Медицинские приборы: Сохранение критически важных данных между сеансами работы.

Рекомендации по применению

  • Следует заботиться об устойчивости компонента к электростатическим разрядам (ESD) при монтаже и эксплуатации.
  • Обеспечить надежное питание в пределах рекомендуемого диапазона напряжений для гарантированной сохранности данных.
  • Использовать в конструкции схемы защиты от различных режимов отказа, особенно при нестабильном питании.

Технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 4 Мбит (Организация: 256K x 16)
  • Время доступа: 25 нс
  • Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
  • Интерфейс: Параллельный
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 48-FBGA (6x10)
  • Техническое состояние: Устаревший (Obsolete)

Возможные аналоги

  • CY14B104LA-SP25XI: Аналогичный компонент от Infineon с расширенным диапазоном питания.
  • IS62WV51216BLL-55TLI: Аналог от ISSI может заменить в специфичных приложениях с похожими параметрами.

За дополнительной информацией можно обратиться к документации производителя или специалистам в области электроники.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК