CY14B104N-ZS45XI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание
Общее описание
CY14B104N-ZS45XI — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) емкостью 4 Мбит от компании Infineon. Данный модуль сочетает в себе свойства высокой скорости доступа статической памяти (SRAM) и энергонезависимости флэш-памяти, что делает его идеальным для использования в широком спектре приложений, требующих сохранения данных при сбое питания.
Преимущества
- Энергонезависимость: Сразу после подачи питания данные, сохраненные перед выключением, снова доступны.
- Высокая скорость доступа: Типовое время доступа составляет всего 45 нс.
- Широкий диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C, что позволяет использовать модуль в промышленных условиях.
- Параллельный интерфейс: Обеспечивает легкость интеграции в различные системы.
Недостатки
- Относительно высокая стоимость: В связи с использованием передовых технологий стоимость может быть выше по сравнению с традиционной SRAM или флэш-памятью.
- Устаревание: Некоторые производные продукты могут быть сняты с производства, затрудняя их доступность.
Типовое использование
- Автоматизация производства: Используется в системах управления производственными процессами для сохранения критически важных данных.
- Медицинское оборудование: Хранение данных пациента и информации о состоянии оборудования.
- Автомобильная электроника: Критичные данные в блоках управления.
- Системы безопасности: Хранение данных журналов и конфигураций.
Рекомендации по применению
- Защита от электростатического разряда (ESD): При установке и использовании модуля принимать меры предосторожности.
- Соблюдение температурных режимов: Убедитесь, что температурные условия соответствуют указанным в спецификациях.
- Пользуйтесь оригинальными компонентами: Избегайте использования поддельных или несовместимых элементов для предотвращения отказов системы.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Емкость памяти: 4 Мбит (256K x 16)
- Интерфейс: Параллельный
- Время доступа: 45 нс
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ +85°C
- Тип корпуса: 44-TSOP II (0.400", 10.16 мм ширина)
- Монтаж: Поверхностный монтаж
Возможные аналоги
- CY14B104L-ZS45XI: Модель с аналогичными характеристиками, но возможно с улучшенной производительностью.
- FM28V100-TG от компании Fujitsu: Альтернативный NVSRAM с аналогичной емкостью.
Для более подробной информации и приобретения компонента CY14B104N-ZS45XI посетите наш интернет-магазин.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.