CY14B104N-ZS45XI

7 440,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание

Общее описание

CY14B104N-ZS45XI — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) емкостью 4 Мбит от компании Infineon. Данный модуль сочетает в себе свойства высокой скорости доступа статической памяти (SRAM) и энергонезависимости флэш-памяти, что делает его идеальным для использования в широком спектре приложений, требующих сохранения данных при сбое питания.

Преимущества

  • Энергонезависимость: Сразу после подачи питания данные, сохраненные перед выключением, снова доступны.
  • Высокая скорость доступа: Типовое время доступа составляет всего 45 нс.
  • Широкий диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C, что позволяет использовать модуль в промышленных условиях.
  • Параллельный интерфейс: Обеспечивает легкость интеграции в различные системы.

Недостатки

  • Относительно высокая стоимость: В связи с использованием передовых технологий стоимость может быть выше по сравнению с традиционной SRAM или флэш-памятью.
  • Устаревание: Некоторые производные продукты могут быть сняты с производства, затрудняя их доступность.

Типовое использование

  • Автоматизация производства: Используется в системах управления производственными процессами для сохранения критически важных данных.
  • Медицинское оборудование: Хранение данных пациента и информации о состоянии оборудования.
  • Автомобильная электроника: Критичные данные в блоках управления.
  • Системы безопасности: Хранение данных журналов и конфигураций.

Рекомендации по применению

  • Защита от электростатического разряда (ESD): При установке и использовании модуля принимать меры предосторожности.
  • Соблюдение температурных режимов: Убедитесь, что температурные условия соответствуют указанным в спецификациях.
  • Пользуйтесь оригинальными компонентами: Избегайте использования поддельных или несовместимых элементов для предотвращения отказов системы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Емкость памяти: 4 Мбит (256K x 16)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 45 нс
  • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
  • Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ +85°C
  • Тип корпуса: 44-TSOP II (0.400", 10.16 мм ширина)
  • Монтаж: Поверхностный монтаж

Возможные аналоги

  • CY14B104L-ZS45XI: Модель с аналогичными характеристиками, но возможно с улучшенной производительностью.
  • FM28V100-TG от компании Fujitsu: Альтернативный NVSRAM с аналогичной емкостью.

Для более подробной информации и приобретения компонента CY14B104N-ZS45XI посетите наш интернет-магазин.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК