CY14B104N-BA45XC

5 280,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY14B104N-BA45XC от Infineon

Общее описание

CY14B104N-BA45XC — это несамовспоминающая память (NVSRAM) емкостью 4 Мбит, производимая компанией Infineon. Это устройство представляет собой высокоскоростное, параллельное, энергонезависимое оперативное запоминающее устройство. Оно соединяет высокопроизводительное статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) с энергонезависимой памяти (NVM), обеспечивая сохранение данных даже при отключении питания.

Преимущества

  • Энергонезависимость: сохранение данных при внезапном отключении питания.
  • Высокая производительность: время доступа составляет 45 нс, что обеспечивает быструю обработку данных.
  • Удобство использования: типовая организация памяти 256K x 16 упрощает интеграцию в различные схемы.
  • Широкий диапазон напряжения питания: от 2.7В до 3.6В, что позволяет использовать компонент в различных приложениях.

Недостатки

  • Устаревание: компонент имеет статус "Obsolete" и может быть трудно доступен.
  • Стоимость: энергозависимая память может быть более дорогим решением по сравнению с другими типами памяти.

Типовое использование

  • Критически важные системы, требующие сохранения данных при сбоях питания.
  • Промышленные и медицинские приложения.
  • Высокопроизводительные вычислительные системы.
  • Автомобильные приложения и телекоммуникации.

Рекомендации по применению

  • Убедитесь в наличии надежного источника питания и правильного подключения согласно спецификации для сохранения данных.
  • Рассмотрите возможность использования альтернативных компонентов для новых разработок из-за устаревшего статуса этой модели.
  • Следите за тепловыми характеристиками и обеспечьте надлежащие условия охлаждения.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (несамовспоминающая статическая оперативная память)
  • Объем памяти: 4 Мбит
  • Организация памяти: 256K x 16
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 45 нс
  • Напряжение питания: 2.7В ~ 3.6В
  • Рабочая температура: от 0°C до 70°C (TA)
  • Тип корпуса: Surface Mount (поверхностный монтаж)
  • Корпус устройства поставщика: 48-FBGA (6x10)

Возможные аналоги

  • CY14B104K-ZS45XC: альтернатива с аналогичными характеристиками для использования в новых разработках.
  • CY14B101N-ZS25XC: версия с меньшей емкостью памяти (1 Мбит), подходящая для проектов с менее требовательными требованиями к объему памяти.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК