CY14B104M-ZSP25XI

Описание для интернет-магазина

CY14B104M-ZSP25XI от Infineon

CY14B104M-ZSP25XI — это интегральная схема энергонезависимой памяти (NVSRAM) производства Infineon Technologies, обладающая объемом 4 Мбит и параллельным интерфейсом. NVSRAM (Non-Volatile SRAM) сочетает в себе быстродействие статической оперативной памяти (SRAM) с надежностью энергонезависимой памяти, обеспечивая сохранность данных даже при отключении питания.

Общие Характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Объем памяти: 4 Мбит (256K x 16)
• Интерфейс: Параллельный
• Время записи: 25нс
• Время доступа: 25нс
• Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Корпус: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Ширина)
• Монтаж: Поверхностный (SMD)

Преимущества

• Высокая скорость: Благодаря времени доступа и записи 25 нс, этот NVSRAM способен обеспечивать высокую производительность.
• Энергонезависимость: Данные сохраняются при отключении питания, что делает эту микросхему идеальной для критичных приложений.
• Широкий диапазон рабочих температур: Гарантированная работа в диапазоне от -40°C до 85°C обеспечивает надежность в различных условиях эксплуатации.

Недостатки

• Стоимость: Энергонезависимая память обычно дороже по сравнению с традиционными SRAM или DRAM решениями.
• Комплексность: Работа с NVSRAM может требовать специфических знаний и опыта в проектировании схем, что может усложнить процесс разработки.

Типовое Использование

• Системы автоматического управления и контроля
• Промышленные компьютеры и системы реального времени
• Оборудование для телекоммуникаций
• Медицинские приборы
• Хранение критически важных данных в условиях ограниченного энергопотребления

Рекомендации по Применению

Для успешного применения CY14B104M-ZSP25XI рекомендуется соблюдать следующие пункты:

• Обеспечьте стабильное питание микросхемы в допустимых пределах (2.7 В ~ 3.6 В).
• Используйте защитные диоды для предотвращения повреждений от электростатических разрядов (ESD).
• Если работа предполагает экстремальные условия эксплуатации, учтите диапазон рабочих температур и обеспечьте соответствующее охлаждение или нагрев.

Возможные Аналоги

• CY14B104LA-ZSP25XI — аналогичный NVSRAM от того же производителя с идентичными характеристиками.
• IS61LV25616AL-10TLI от ISSI — альтернативный вариант с похожими параметрами, но с несколько отличными характеристиками.

Ключевые Технические Характеристики

• Память: 4 Мбит (256K x 16)
• Интерфейс: Параллельный
• Время записи: 25нс
• Время доступа: 25нс
• Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
• Температура эксплуатации: -40°C ~ 85°C (TA)
• Корпус: 54-TSOP (10.16 мм ширина)

Этот компонент представляет собой надежное решение для широкого спектра задач, где требуются как высокая скорость работы, так и сохранность данных при отключении питания.