CY14B101NA-ZS25XI

Интегральная схема CY14B101NA-ZS25XI от Infineon

Общее описание

CY14B101NA-ZS25XI - это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) емкостью 1 Мбит, предназначенная для промышленных применений. Благодаря использованию ферроэлектрической RAM (FeRAM) технологии, устройство сочетает в себе высокую скорость доступа с надежностью хранения данных.

Преимущества

• Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отсутствии питания.
• Высокая скорость: Время доступа составляет 25 нс, что обеспечивает быструю работу с данными.
• Надежность: FeRAM компоненты обеспечивают долгий срок службы и высокую устойчивость к циклам записи/стирания.
• Стабильность: Широкий диапазон рабочих температур от -40°C до 85°C позволяет использовать компонент в различных условиях.

Недостатки

• Стоимость: NVSRAM является более дорогим решением по сравнению с традиционными DRAM и SRAM.
• Ограниченная емкость: В данной серии пока что представлены модули с относительно небольшой емкостью, что может быть недостатком для некоторых применений.

Типовое использование

• Промышленные системы управления: Применяется для хранения критически важных данных в условиях, где потеря питания может быть частым явлением.
• Медицинские приборы: Обеспечивает сохранность данных без внешнего источника питания.
• Энергонезависимые реестры: Используется в системах, где требуется автономное хранение данных без постоянного питания.
• Автоматизация и мониторинг: Применяется во всех видах систем сбора данных и автоматизации процессов, требующих надежного хранения информации.

Рекомендации по применению

• Защита питания: Рекомендуется использовать схемы защиты и стабилизации питания, чтобы исключить любые скачки или перебои.
• Правильное размещение: Учтите термостабильность окружения, чтобы обеспечить работу в заданном диапазоне температур.
• Емкость памяти: Оцените объем оперативной памяти вашего устройства, чтобы удостовериться, что 1 Мбит памяти достаточно для ваших нужд.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Емкость: 1 Мбит (128К x 8 бит)
• Скорость доступа: 25 нс
• Интерфейс: Параллельный
• Напряжение питания: 2.7В ~ 3.6В
• Диапазон рабочих температур: -40°C ~ 85°C
• Корпус: 44-выводной TSOP II (0.400", 10.16 мм ширина)
• Защитное форматирование: Организация памяти (64К x 16)

Возможные аналоги

• CY14B256K-ZS25XI: 256Кбит NVSRAM с подобными характеристиками.
• FM28V100-TG: 1 Мбит FRAM от компании Fujitsu с аналогичными функциональными возможностями.

Заключение

CY14B101NA-ZS25XI от Infineon - это высоконадежная NVSRAM память, идеально подходящая для критически важных приложений. Ее высокая скорость и энергонезависимость делают этот компонент отличным выбором для промышленного, медицинского и специализированного использования.