CY14B101LA-SP45XI

7 440,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY14B101LA-SP45XI от Infineon

Общее описание

CY14B101LA-SP45XI - это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) с объемом 1 Мбит, производимая компанией Infineon. Эта микросхема представляет собой комбинацию SRAM и неэнергозависимой памяти, позволяя сохранять данные даже при отключении питания. CY14B101LA-SP45XI предлагается в корпусе 48-SSOP и поддерживает параллельный интерфейс.

Преимущества

  • Сохранение данных: Данные сохраняются в энергонезависимой памяти при отключении питания.
  • Быстрая скорость доступа и записи: Время доступа составляет всего 45 нс, обеспечивая высокую скорость работы.
  • Широкий диапазон напряжений питания: Рабочее напряжение от 2.7 В до 3.6 В.
  • Расширенный диапазон рабочих температур: Поддержка эксплуатации в температурном диапазоне от -40°C до +85°C, что делает его пригодным для использования в промышленных приложениях.

Недостатки

  • Цена: Как правило, энергонезависимые SRAM памяти стоят дороже, чем другие типы энергонезависимой памяти, такие как Flash или EEPROM.
  • Потребление энергии: NVSRAM находится между SRAM и другими энергонезависимыми памятью по показателям потребления энергии.

Типовое использование

  • Промышленная автоматика: Хранение конфигураций устройств и данных в памяти при отсутствии питания.
  • Медицинское оборудование: Быстрый доступ к критически важным данным с функцией сохранения данных.
  • Коммерческая электроника: Устройства, требующие улучшенного хранения данных и скорости доступа.

Рекомендации по применению

  • Для надежной работы убедитесь, что напряжение питания стабильно.
  • При проектировании учитывайте температурный режим работы для обеспечения долговечности.
  • Используйте эту микросхему в приложениях, где требуется быстрое восстановление данных после перерыва в питании.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 1 Мбит (128K x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 45 нс
  • Время записи: 45 нс
  • Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
  • Рабочая температура: от -40°C до +85°C
  • Корпус: 48-SSOP (0.295", ширина 7.50 мм)

Возможные аналоги

  • MB85RS1MT от Fujitsu: FRAM с похожими характеристиками и объемом памяти.
  • IS62WV25616BLL-55TL от ISSI: эквивалентный SRAM с энергонезависимой функцией.
  • X28HC256 от Intersil: энергонезависимая память, но с более высоким временем доступа.

Заключение

CY14B101LA-SP45XI от Infineon - отличное решение для приложений, требующих сохранения данных при отключении питания и быстрого доступа к информации. Применение этой микросхемы позволит значительно повысить надежность и производительность ваших устройств.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК