CY14B101LA-SP25XIT

7 680,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY14B101LA-SP25XIT - Non-Volatile SRAM (NVSRAM) 1Mbit, Parallel, 48-SSOP

Общее описание

CY14B101LA-SP25XIT - это энергонезависимая запоминающая микросхема типа NVSRAM (Non-Volatile SRAM) от компании Infineon Technologies. Этот компонент обладает емкостью 1 Мбит (128K x 8) и обеспечивает высокий уровень надежности и скорости работы. Он объединяет все преимущества высокоскоростного статического ОЗУ (SRAM) с функцией энергонезависимости, что позволяет сохранить данные даже при отключении питания.

Преимущества

  • Высокая скорость: Время доступа и записи составляет всего 25 нс.
  • Энергонезависимость: Данные сохраняются при отсутствии питания.
  • Широкий диапазон рабочего напряжения: Работает в диапазоне напряжения 2.7В ~ 3.6В.
  • Надежность: Устойчивость к экстремальным температурам от -40°C до +85°C.

Недостатки

  • Цена: Энергонезависимые память имеет более высокую стоимость по сравнению с обычными SRAM или DRAM компонентами.
  • Размер корпуса: Корпус 48-SSOP может быть более сложным для монтажа по сравнению с более компактными форм-факторами.

Типовое использование

  • Системы промышленного управления: Для хранения критически важных данных, которые должны быть сохранены при любой потере питания.
  • Медицинское оборудование: Для регистрации и хранения данных даже при случайных перебоях питания.
  • Автомобильная электроника: Энергонезависимая память для регистрации данных событий или параметров системы.
  • Военное и аэрокосмическое оборудование: Для хранения надежной и долговечной информации.

Рекомендации по применению

  • Выбор напряжения питания: Убедитесь, что схема обеспечена стабильным напряжением в диапазоне от 2.7В до 3.6В.
  • Термическое управление: Обеспечьте необходимое охлаждение и проверьте рабочую температуру элемента, особенно в условиях повышенных температур.

Технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Емкость памяти: 1 Мбит (128K x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время цикла записи/чтения: 25 нс
  • Напряжение питания: 2.7В ~ 3.6В
  • Диапазон рабочих температур: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 48-SSOP (0.295", 7.50мм ширина)

Возможные аналоги

  • IS61WV102416BLL-10TLI от ISSI
  • AS6C1008-55BIN от Alliance Memory
  • AU625528 от Aucan

CY14B101LA-SP25XIT от Infineon Technologies является отличным выбором для тех, кто ищет надежную и быстродействующую энергонезависимую память для своих промышленных, автомобильных или других специализированных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК