CY14B101LA-SP25XI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY14B101LA-SP25XI от Infineon
Общее описание
CY14B101LA-SP25XI — это энергонезависимая SRAM (NVSRAM) микросхема памяти объемом 1 Мбит (128K x 8). Она объединяет быстрый доступ и запись, характерные для SRAM, с энергонезависимым хранением данных, присущим флеш-памяти. Это обеспечивается за счет интеграции SRAM и независимой системы запоминания данных, которая сохраняет данные в случае потери питания.
Преимущества
- Высокая скорость доступа: Время доступа 25 нс обеспечивает высокую производительность.
- Энергонезависимость: Данные сохраняются при отключении питания, что делает эту память идеальной для критически важных приложений.
- Широкий диапазон рабочих температур: Рабочий диапазон от -40°C до +85°C позволяет использовать микросхему в различных условиях окружающей среды.
- Низкое энергопотребление: Обеспечивает экономию энергии, что актуально для портативных устройств.
Недостатки
- Цена: NVSRAM может быть дороже по сравнению с традиционной SRAM из-за дополнительных преимуществ энергонезависимости.
- Сложная архитектура: Совмещение SRAM и флеш-памяти требует более тщательного проектирования, что может усложнить разработку схем.
Типовое использование
- Критически важные системы: Автомативные системы управления, медицинское оборудование и банковские системы.
- Системы с резервным питанием: Устройства, требующие надежного хранения данных при перебоях в питании.
- Промышленное оборудование: Системы автоматизации, где важна высокая надежность и сохранность данных.
Рекомендации по применению
- Обеспечение стабильного источника питания: Для обеспечения безопасности данных, нужно использовать стабилизированные источники питания.
- Тщательное проектирование системы хранения данных: Важно учитывать дополнительные возможности и ограничения NVSRAM при разработке.
- Регулярное тестирование: Проводите регулярное тестирование для обеспечения корректной работы микросхемы в рамках вашей системы.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM
- Объем памяти: 1 Мбит (128K x 8)
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Время доступа: 25 нс
- Напряжение питания: 2.7В ~ 3.6В
- Рабочая температура: -40°C ~ +85°C
- Тип корпуса: 48-SSOP (7.50мм)
Возможные аналоги
- CY14B101QA-SXE - от Cypress (также является частью Infineon Technologies)
- FM28V100-TG - от Fujitsu
Использование CY14B101LA-SP25XI обеспечивает высокую степень надежности и быстродействия в системах, где критически важно сохранение данных при перебоях в питании.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.