CY14B101KA-ZS25XI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY14B101KA-ZS25XI от Infineon
Общее описание
Микросхема CY14B101KA-ZS25XI представляет собой энергонезависимую статическую оперативную память (NVSRAM) объёмом 1 Мбит. Она совмещает в себе быстродействие стандартной SRAM и энергонезависимость EEPROM, что позволяет сохранять данные даже при отключении питания. Устройство выполнено в корпусе TSOP-II и поддерживает параллельный интерфейс.
Преимущества
- Высокая скорость работы: Время доступа составляет всего 25 нс, что обеспечивает быструю обработку данных.
- Энергонезависимость: Данные сохраняются без потери даже при отключении питания.
- Широкий диапазон напряжения питания: От 2.7 В до 3.6 В, что обеспечивает гибкость в различных применениях.
- Обширный температурный диапазон: Подходит для работы в жестких условиях (-40°C ~ 85°C).
Недостатки
- Стоимость: Энергонезависимые памяти, как правило, дороже обычных SRAM и DRAM.
- Сложность применения: Требуется правильное управление для оптимальной работы NVSRAM.
Типовое использование
- Системы сбора данных: Для надежного хранения временных данных между включениями системы.
- Промышленные и медицинские устройства: Где надежность и сохранность данных чрезвычайно важны.
- Автомобильная электроника: Непрерывное сохранение данных в критических системах.
- Системы с резервным электропитанием: Для обеспечения непрерывности данных во время переключения на резервный источник.
Рекомендации по применению
- Управление питанием: Следует предусмотреть схемы защиты от неожиданного отключения питания для правильной работы энергонезависимой памяти.
- Системы охлаждения: В условиях работы при высоких температурных режимах важно предусмотреть адекватное охлаждение для предотвращения перегрева микросхемы.
- Экранирование: Важно учитывать электромагнитную совместимость (EMC) для минимизации помех.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM
- Ёмкость: 1 Мбит (128K x 8)
- Интерфейс: Параллельный
- Время доступа: 25 нс
- Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
- Диапазон температур: -40°C ~ 85°C (TA)
- Корпус: TSOP-II 44 выводов (0.400", 10.16mm ширина)
Возможные аналоги
- CY14B101LA-ZS25XI от Cypress: Имеет схожие характеристики и также является NVSRAM.
- FM18W08 от Fujitsu: Альтернатива с аналогичными параметрами и интерфейсом.
- IS62WV25616BLL от ISSI: Другой вариант энергонезависимой памяти с похожими характеристиками.
Это описание поможет пользователям интернет-магазина лучше понять возможности и применение CY14B101KA-ZS25XI, а также выбрать подходящие аналоги или соответствующие компоненты для своих проектов.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.