CY14B101KA-ZS25XI

7 200,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY14B101KA-ZS25XI от Infineon

Общее описание

Микросхема CY14B101KA-ZS25XI представляет собой энергонезависимую статическую оперативную память (NVSRAM) объёмом 1 Мбит. Она совмещает в себе быстродействие стандартной SRAM и энергонезависимость EEPROM, что позволяет сохранять данные даже при отключении питания. Устройство выполнено в корпусе TSOP-II и поддерживает параллельный интерфейс.

Преимущества

  • Высокая скорость работы: Время доступа составляет всего 25 нс, что обеспечивает быструю обработку данных.
  • Энергонезависимость: Данные сохраняются без потери даже при отключении питания.
  • Широкий диапазон напряжения питания: От 2.7 В до 3.6 В, что обеспечивает гибкость в различных применениях.
  • Обширный температурный диапазон: Подходит для работы в жестких условиях (-40°C ~ 85°C).

Недостатки

  • Стоимость: Энергонезависимые памяти, как правило, дороже обычных SRAM и DRAM.
  • Сложность применения: Требуется правильное управление для оптимальной работы NVSRAM.

Типовое использование

  • Системы сбора данных: Для надежного хранения временных данных между включениями системы.
  • Промышленные и медицинские устройства: Где надежность и сохранность данных чрезвычайно важны.
  • Автомобильная электроника: Непрерывное сохранение данных в критических системах.
  • Системы с резервным электропитанием: Для обеспечения непрерывности данных во время переключения на резервный источник.

Рекомендации по применению

  • Управление питанием: Следует предусмотреть схемы защиты от неожиданного отключения питания для правильной работы энергонезависимой памяти.
  • Системы охлаждения: В условиях работы при высоких температурных режимах важно предусмотреть адекватное охлаждение для предотвращения перегрева микросхемы.
  • Экранирование: Важно учитывать электромагнитную совместимость (EMC) для минимизации помех.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Ёмкость: 1 Мбит (128K x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 25 нс
  • Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
  • Диапазон температур: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Корпус: TSOP-II 44 выводов (0.400", 10.16mm ширина)

Возможные аналоги

  • CY14B101LA-ZS25XI от Cypress: Имеет схожие характеристики и также является NVSRAM.
  • FM18W08 от Fujitsu: Альтернатива с аналогичными параметрами и интерфейсом.
  • IS62WV25616BLL от ISSI: Другой вариант энергонезависимой памяти с похожими характеристиками.

Это описание поможет пользователям интернет-магазина лучше понять возможности и применение CY14B101KA-ZS25XI, а также выбрать подходящие аналоги или соответствующие компоненты для своих проектов.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК