CY14B101KA-SP45XI

6 960,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY14B101KA-SP45XI от Infineon

Общее описание

CY14B101KA-SP45XI - это энергонезависимая SRAM (NVSRAM) микросхема памяти производства Infineon, обладающая емкостью 1 Мбит и подходящая для приложений, требующих надежного хранения данных даже при сбое питания. Она использует 128K x 8 битовую организацию памяти с параллельным интерфейсом, обеспечивая высокую скорость доступа и записи данных, что делает ее идеальной для использования в критически важных системах.

Преимущества

  • Энергонезависимость: Микросхема сохраняет данные даже при отключении питания.
  • Быстрый доступ: Время доступа составляет всего 45 нс, что позволяет быстро обращаться к содержимому памяти.
  • Высокая надежность: Протестирована на работу в жестких условиях, включая широкий температурный диапазон.
  • Компактный корпус: Поставляется в корпусе 48-SSOP, упрощающем монтаж на плату.

Недостатки

  • Стоимость: Как правило, энергонезависимые памяти стоят несколько дороже по сравнению с традиционными SRAM.
  • Требование к питанию: Диапазон напряжения питания ограничен 2.7V - 3.6V.

Типовое использование

  • Аэрокосмические системы: Для хранения критически важных данных, которые должны сохраняться при сбое питания.
  • Военные приложения: В системах, требующих высокой надежности и устойчивости к экстремалам.
  • Промышленные контроллеры: Для резервного копирования важных данных.
  • Телекоммуникационное оборудование: В платах, где требуется быстрое изменение конфигурации при отказе питания.

Рекомендации по применению

  1. Убедитесь в соответствии напряжения питания: Используйте стабилизированные источники питания в диапазоне 2.7V - 3.6V.
  2. Контроль температурного режима: Эффективно используйте в диапазоне температур от -40°C до +85°C.
  3. Соблюдение конфигурации: Используйте правильно распаянные разъемы и следите за состоянием линии питания для сохранения данных.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Организация памяти: 128K x 8 бит
  • Емкость памяти: 1 Мбит
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 45 нс
  • Напряжение питания: 2.7V - 3.6V
  • Температурный диапазон: -40°C до +85°C
  • Корпус: 48-SSOP (7.5мм в ширину)

Возможные аналоги

  • CY14B101KA-SZ45XI: Схожие параметры с улучшенными характеристиками.
  • FM25CL64B-G: С меньшим объемом памяти (64K), но с большей энергоэффективностью.

Это описание предназначено для облегчения выбора и использования компонента CY14B101KA-SP45XI в различных приложениях, требующих надежной и энергонезависимой памяти.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК