CY14B101KA-SP25XI

7 200,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY14B101KA-SP25XI от Infineon

Общее описание

CY14B101KA-SP25XI — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM), предоставляющая 1 Мбит памяти в формате 128К x 8. Этот компонент обеспечивает высокую скорость доступа и надёжность хранения данных благодаря использованию технологии NVSRAM.

Преимущества

  • Надёжность: Высокая надёжность за счёт энергонезависимой природы памяти, что исключает потерю данных при отключении питания.
  • Время доступа: Быстрое время доступа и записи в пределах 25 наносекунд, что делает его идеальным для высокоскоростных приложений.
  • Широкий диапазон напряжений и температур: Поддерживает питание от 2.7V до 3.6V и работает в диапазоне температур от -40°C до 85°C.

Недостатки

  • Цена: Стоимость NVSRAM может быть выше по сравнению с другими типами памяти, такими как DRAM и EEPROM, из-за сложной архитектуры.
  • Объём памяти: Объём памяти ограничен 1 Мбитом, что может быть недостаточно для некоторых приложений.

Типовое использование

  • Промышленная автоматизация: Хранение конфигурационных данных и параметров оборудования.
  • Медицинские приборы: Надёжное хранение критически важных данных.
  • Системы контроля и управления: Буферизация данных и быстрый доступ к операционным данным.

Рекомендации по применению

  • Использование правильного напряжения: Убедитесь, что напряжение питания находится в пределах от 2.7V до 3.6V.
  • Рабочие условия: Поддерживайте рабочую температуру в диапазоне от -40°C до 85°C для обеспечения надёжности и долговечности устройства.
  • Управление энергообеспечением: При проектировании систем с использованием данного компонента важно предусмотреть защиту от возможных сбоев энергопитания.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Энергонезависимая (NVSRAM)
  • Объём памяти: 1 Мбит (128K x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи: 25 нс
  • Время доступа: 25 нс
  • Диапазон напряжения питания: 2.7V ~ 3.6V
  • Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
  • Тип корпуса: 48-SSOP (0.295", 7.50mm ширина)
  • Исполнение корпуса: Surface Mount

Возможные аналоги

  • CY14B101KA-ZS25XI: Подобное устройство с аналогичными характеристиками.
  • FM28V100-TG: Аналогичный энергонезависимый SRAM от других производителей.
  • MR0A16ACYS35: Альтернативный аналог с аналогичной функциональностью и объёмом памяти.

Этот компонент оптимален для применения в системах, требующих высоко надёжной и быстрой оперативной памяти с энергонезависимостью.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК