CLL3H0914LS-700U

CLL3H0914LS-700U от Ampleon

Общее описание

CLL3H0914LS-700U – это высокомощный полевой транзистор (MOSFET) на основе нитрида галлия (GaN) с частотным диапазоном от 900 МГц до 1.4 ГГц. Этот компонент предназначен для работы в диапазоне высоких частот, обладая выдающимися электрическими характеристиками и высокой надежностью. Устройство поставляется в корпусе типа SOT502B, обеспечивая удобство монтажа и эффективное рассеивание тепла.

Преимущества

• Высокая мощность выхода: до 700 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных передающих устройствах.
• Широкий частотный диапазон: оптимизация работы в диапазоне от 900 МГц до 1.4 ГГц.
• Повышенная эффективность: благодаря использованию технологии GaN, транзистор обладает высокой прочностью и эффективностью при меньших потерях энергии.
• Надежность: высокая рабочая температура и напряжение гарантируют долговечность в условиях интенсивной эксплуатации.

Недостатки

• Стоимость: устройства на основе GaN обычно дороже по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.
• Необходимость в тепловом управлении: при высоких мощностях требуется эффективное рассеивание тепла для предотвращения перегрева.

Типовое использование

• Радиочастотные усилители: в базовых станциях, ретрансляторах и прочих радиопередающих системах.
• Беспроводные коммуникации: в системах беспроводной связи, включая мобильные сети.
• Военное оборудование: в системах радиолокации и радиосвязи для военных приложений.

Рекомендации по применению

• Обязательно обеспечьте качественное тепловое управление для предотвращения перегрева при длительной работе на высокой мощности.
• Уделяйте внимание правильному монтажу и заземлению, чтобы минимизировать влияние электромагнитных помех.
• Проверяйте совместимость с другими компонентами вашей схемы по электрическим характеристикам и временным параметрам.

Основные технические характеристики

• Технология: Нитрид галлия (GaN)
• Конфигурация: N-канал
• Частотный диапазон: 900 МГц ~ 1.4 ГГц
• Коэффициент усиления: 17 дБ
• Испытательное напряжение: 50 В
• Ток тестирования: 500 мА
• Выходная мощность: 700 Вт
• Максимальное напряжение: 150 В
• Тип корпуса: SOT502B
• Монтаж: На шасси

Возможные аналоги

• CGH40010P от Wolfspeed: Альтернативный высокомощный GaN RF транзистор для высокочастотных применений.
• MRFX1K80 от NXP Semiconductors: RF транзистор с высокой выходной мощностью до 1800 Вт в полосе частот до 600 МГц.

Используйте CLL3H0914LS-700U от Ampleon для создания мощных и надежных радиочастотных усилителей и беспроводных систем связи!