Ampleon CLL3H0914L-700U

Общее описание

Ampleon CLL3H0914L-700U — это высокоэффективный RF MOSFET, разработанный на основе технологии GaN (нитрид галлия), предназначенный для работы в диапазоне частот от 900 МГц до 1.4 ГГц. Этот компонент обеспечивает высокую выходную мощность до 700 Вт и высокий коэффициент усиления 17 дБ. Он выполнен в корпусе SOT502A, что делает его идеально подходящим для монтажных применений на шасси.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: До 700 Вт, что делает этот компонент подходящим для мощных передатчиков.
• Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает устойчивую и мощную амплификацию.
• Технология GaN: Обеспечивает высокую эффективность и надежность.
• Широкий диапазон частот: Рабочий диапазон от 900 МГц до 1.4 ГГц.
• Компактный корпус: SOT502A для удобного монтажа и применения в различных устройствах.

Недостатки

• Высокое энергопотребление: Может требовать эффективного управления тепловыделением и специфичных схем охлаждения.
• Относительно высокая стоимость: Технология GaN часто бывает дороже по сравнению с традиционными MOSFET.

Типовое использование

• ВЧ передатчики
• Усилители мощности
• Военные и коммерческие радиолокационные системы
• Системы связи

Рекомендации по применению

1. Термическое управление: Обеспечьте эффективное охлаждение компонента для предотвращения перегрева.
2. Тестирование и калибровка: Используйте подходящие измерительные приборы для проверки характеристик и их соблюдения.
3. Корректный монтаж: Следите за правильностью монтажа на шасси для обеспечения надежного соединения и минимизации потерь сигнала.

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Частотный диапазон: 900 МГц – 1.4 ГГц
• Коэффициент усиления: 17 дБ
• Тестовое напряжение: 50 В
• Тестовый ток: 500 мА
• Выходная мощность: 700 Вт
• Максимальное напряжение: 150 В
• Корпус: SOT502A

Аналоги

• Ampleon CLF3H0010-30
• NXP Semiconductors MRF8P20160WHS
• Cree CGH40010F

Заключение

Ampleon CLL3H0914L-700U — это мощный и надежный RF MOSFET, который найдет свое применение в различных ВЧ системах. Высокая мощность и коэффициент усиления в сочетании с надежной технологией GaN делают его отличным выбором для вашего следующего проекта.