CLF3H0060S-10U

22 080,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CLF3H0060S-10U от Ampleon

Общее описание: CLF3H0060S-10U от Ampleon — это высокочастотный транзистор на базе GaN HEMT (гетероструктурного транзистора с высокой подвижностью носителей на основе нитрида галлия), предназначенный для использования в приложениях усиления мощности на частотах до 6 ГГц. Этот транзистор поставляется в корпусе SOT1227B и отличается высокой выходной мощностью, низким уровнем шума и высокой надежностью.

Преимущества:

  • Высокая выходная мощность: До 10 Вт
  • Высокий коэффициент усиления: 20.1 дБ
  • Низкий уровень искажений и шума
  • Широкий диапазон частот: До 6 ГГц
  • Экономия энергии: Исключительная эффективность благодаря использованию технологии GaN HEMT
  • Надежность: Высокое напряжение испытания (50 В) и номинальное напряжение (150 В)

Недостатки:

  • Цена: Использование передовой технологии GaN может делать этот компонент более дорогим по сравнению с альтернативами на основе других материалов.
  • Требовательность к условиям эксплуатации: Требуется тщательное управление тепловыми условиями и защитой от перегрузок.

Типовое использование:

  • Усилители мощности для базовых станций мобильной связи
  • Радиолокационные системы
  • Военные и космические передатчики
  • Усилители для широкополосных коммуникаций

Рекомендации по применению:

  • Термическое управление: Обеспечьте надлежащее охлаждение транзистора для предотвращения перегрева.
  • Защита от перегрузок: Используйте защитные схемы для предотвращения повреждения в случае внезапных перегрузок по току или напряжению.
  • Оптимизация рабочего режима: Выполняйте настройку и калибровку схемы для достижения оптимальных рабочих характеристик.

Основные технические характеристики:

  • Конфигурация: N-канальный транзистор
  • Частотный диапазон: До 6 ГГц
  • Коэффициент усиления: 20.1 дБ
  • Напряжение испытания: 50 В
  • Ток испытания: 40 мА
  • Выходная мощность: 10 Вт
  • Номинальное напряжение: 150 В
  • Тип корпуса: SOT1227B
  • Монтаж: Поверхностный (SMD)

Возможные аналоги:

  • Cree CGH40010F: GaN HEMT транзистор с аналогичной выходной мощностью и рабочим диапазоном частот.
  • Wolfspeed CGH60015D: Высокочастотный GaN HEMT транзистор с несколько большей выходной мощностью и подходящей частотной характеристикой.

Используя CLF3H0060S-10U в своих проектах, вы можете рассчитывать на надежное и эффективное усиление сигнала при широком спектре рабочих частот, что делает этот транзистор отличным выбором для современных коммуникационных и радиочастотных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК