CLF3H0060-10U

CLF3H0060-10U от Ampleon

Общее описание: CLF3H0060-10U – это высокоэффективный радиочастотный MOSFET (металло-оксидный полупроводниковый полевой транзистор) на основе технологии GaN HEMT, разработанный компанией Ampleon. Этот компонент предназначен для работы в диапазоне до 6 ГГц и обеспечивает выходную мощность до 10 Вт при напряжении питания до 50 В. Его основное применение — усиление мощности в радиочастотных системах.

Преимущества:

• Высокий коэффициент усиления (20,1 дБ при 6 ГГц)
• Высокая выходная мощность (до 10 Вт)
• Рабочее напряжение до 50 В
• Компактный корпус CDFM2, который упрощает монтаж
• Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии GaN HEMT

Недостатки:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET
• Требовательность к системе охлаждения из-за выделяемого тепла на высоких мощностях

Типовое использование:

• Радиочастотные усилители мощности
• Беспроводные коммуникационные системы
• Радары
• Транзисторы для базовых станций связи

Рекомендации по применению:

• Особое внимание следует уделять адекватному охлаждению компонента.
• Следует использовать соответствующие предохранители и защитные схемы для предотвращения повреждений из-за перегрузки по току или напряжению.
• Рекомендуется осуществлять тщательную проверку рабочих параметров перед использованием в конечной схеме.

Основные технические характеристики:

• Конфигурация: N-канальный
• Частота: до 6 ГГц
• Коэффициент усиления: 20,1 дБ
• Выходная мощность: 10 Вт
• Рабочее напряжение: до 50 В
• Корпус: SOT-1227A
• Упаковка устройства: CDFM2

Возможные аналоги:

• CGH40010F от Cree
• MGF1801BL от Mitsubishi Electrics
• TGF2023-10 от Qorvo

Заключение: CLF3H0060-10U представляет собой передовое решение для задач радиочастотного усиления, предлагая отличные рабочие характеристики и надежность. Благодаря использованию технологии GaN HEMT, этот транзистор обеспечивает высокую мощность с твердыми параметрами усиления, что делает его идеальным выбором для широкого спектра радиочастотных приложений.