CLF3H0035S-100U

CLF3H0035S-100U от Ampleon

Общее описание

CLF3H0035S-100U - это высокочастотный MOSFET транзистор на основе технологии HEMT (High Electron Mobility Transistor), разработанный компанией Ampleon. Этот компонент предназначен для работы в диапазоне частот до 3,5 ГГц и обладает высокой выходной мощностью в 100 Вт, что делает его идеальным выбором для различных приложений, требующих надежного усиления сигнала на высоких частотах.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: 100 Вт
• Высокая частота работы: до 3,5 ГГц
• Широкий диапазон рабочих напряжений: до 50 В
• Низкие потери и высокий коэффициент усиления: 15 dB
• Компактный корпус: SOT-467B

Недостатки

• Компонент требует специализированной техники для надёжного монтажа поверхностным методом.
• Высокая стоимость по сравнению с другими транзисторами меньшей мощности.

Типовое использование

• Усиление сигнала в радиочастотных системах.
• Коммуникационные системы, такие как базовые станции сотовой связи.
• Усилители мощности для радиопередатчиков.
• Системы спутниковой связи.
• Радиолокационные системы.

Рекомендации по применению

• Монтаж: Используйте технику поверхностного монтажа и убедитесь, что место установки обеспечивает хорошее отведение тепла.
• Рабочие параметры: Проверяйте соответствие рабочих параметров схемы техническим характеристикам компонента.
• Теплоотвод: Используйте радиаторы и другие методы охлаждения для обеспечения стабильной работы на высоких мощностях.

Основные технические характеристики

• Технология: HEMT
• Частотный диапазон: 0 Гц - 3,5 ГГц
• Коэффициент усиления: 15 dB
• Рабочее напряжение: 50 В
• Испытательный ток: 300 мА
• Выходная мощность: 100 Вт
• Корпус: SOT-467B

Возможные аналоги

• MRF8P20160HSR3 от NXP Semiconductors
• BLF8G22LS-140G от Ampleon
• MRF6VP2600N от NXP Semiconductors

Этот компонент идеально подходит для использования в высокочастотных и высокоэнергетичных приложениях, предлагая отличное сочетание производительности и надежности.