CLF1G0035-50H

CLF1G0035-50H от Ampleon

Общее описание

CLF1G0035-50H – это высокоэффективный полевый транзистор (RF MOSFET) на основе нитрида галлия (GaN HEMT), предназначенный для применения в радиочастотных системах. Он способен работать в диапазоне частот до 3 ГГц и обеспечивает мощность до 50 Вт. Устройство представлено в компактном корпусе SOT467C.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Максимальная выходная мощность до 50 Вт, что делает его идеальным для мощных радиочастотных применений.
• Высокий коэффициент усиления: Усиление составляет 11.5 дБ при рабочей частоте.
• Эффективность: Высокая эффективность за счет использования технологии GaN HEMT.
• Компактность: Корпус SOT467C позволяет интегрировать устройство в компактные конструкции.

Недостатки

• Стоимость: Технология GaN HEMT может быть дороже по сравнению с традиционными КМОП или Si-based транзисторами.
• Сложность охлаждения: Высокая мощность требует эффективной системы теплотвода.

Типовое использование

• Базовые станции: Усилители мощности для базовых станций мобильной связи.
• Радарные системы: Высокочастотные усилители для радаров.
• Военные и аэрокосмические приложения: Системы связи и навигации.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте надежное охлаждение для эффективного отвода тепла.
• При проектировании схемы используйте компоненты, рассчитанные на работу при высоком напряжении и частоте.
• Проверяйте окружающую среду и условия эксплуатации на наличие электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

• Технология: GaN HEMT
• Частотный диапазон: до 3 ГГц
• Коэффициент усиления: 11.5 dB
• Напряжение питания: 50 В
• Ток (тестовый): 150 мА
• Выходная мощность: 50 Вт
• Корпус/тип: SOT467C

Возможные аналоги

• NXP Semiconductors: MRFE6VP61K25H
• Infineon Technologies: PTFA261701E
• Qorvo: TGF2021-50

Для более детальной информации и технической документации, пожалуйста, свяжитесь с производителем Ampleon или посетите официальный сайт.

Summary

CLF1G0035-50H от Ampleon – это высокоэффективный RF MOSFET на основе GaN HEMT, работающий в диапазоне частот до 3 ГГц и обеспечивающий выходную мощность до 50 Вт. Он идеально подходит для различных радиочастотных применений, включая базовые станции и радарные системы.