CLF1G0035-100PU

68 880,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CLF1G0035-100PU от NXP

Общее Описание

CLF1G0035-100PU — это мощный высокочастотный (RF) транзистор на основе технологии GaN HEMT, предназначенный для усилителей мощности. Этот компонент предлагает впечатляющую выходную мощность до 100 Вт и работает на частоте до 3 ГГц с коэффициентом усиления 14 дБ.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 100 Вт, что делает его идеальным для усилителей мощности.
  • Технология GaN HEMT: Обеспечивает высокую эффективность и низкие потери.
  • Широкий частотный диапазон: Подходит для приложений до 3 ГГц.
  • Высокая надежность: Отличные термальные характеристики и долговечность.

Недостатки

  • Стоимость: Компоненты на базе GaN HEMT обычно дороже по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.
  • Требует сложного охлаждения: Необходимы эффективные системы охлаждения для работы на максимальной мощности.

Типовое Использование

  • Радиочастотные усилители мощности: В базовых станциях сотовой связи и радиопередатчиках.
  • Системы связи: Такие как спутниковые и военные коммуникации.
  • Радиолокационные системы: Для мощных передатчиков в радиолокации.

Рекомендации по Применению

  • Эффективное охлаждение: Обязательно предусмотреть хорошую систему охлаждения для управления тепловым режимом.
  • Тщательная настройка: Настройка сети согласования для оптимизации КСВ и повышения эффективности.
  • Защита от перегрузки: Используйте схемы защиты для предотвращения перегрузки и повышения надежности.

Основные Технические Характеристики

  • Технология: GaN HEMT
  • Частотный Диапазон: До 3 ГГц
  • Коэффициент Усиления: 14 дБ
  • Тестовое Напряжение: 50 В
  • Тестовый Ток: 100 мА
  • Выходная Мощность: 100 Вт
  • Рабочее Напряжение: 50 В
  • Максимальное Напряжение: 150 В
  • Тип Корпуса: SOT-1228A
  • Монтаж: Монтаж на шасси

Возможные Аналоги

  • CGH40010F от Wolfspeed: RF-транзистор на основе GaN HEMT с рабочей частотой до 6 ГГц и мощностью выхода до 10 Вт.
  • MRF8P9300NR1 от NXP: МОП-транзистор для СВЧ-частот с мощностью до 250 Вт и рабочей частотой до 3.6 ГГц.
  • PD55003-E от STMicroelectronics: Высокочастотный МОП-транзистор с выходной мощностью до 3 Вт и частотами до 500 МГц.

С компонентом CLF1G0035-100PU вы получите надежное и высокоэффективное решение для ваших мощных радиочастотных приложений, обеспечивая высокую выходную мощность и отличные характеристики усиления.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК