CLF1G0035-100P от NXP

Общее описание

CLF1G0035-100P — это высокочастотный MOSFET с использованием технологии LDMOS, разработанный NXP. Этот компонент предназначен для применения в усилителях мощности, работающих в диапазоне до 3.5 ГГц. Отличается высокой устойчивостью к нагрузочным несовпадениям и обеспечивающей надежную работу при высоких уровнях мощности.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 100 Вт.
• Высокая частота работы: до 3.5 ГГц.
• Отличное усиление: 12.5 дБ.
• Устойчивость к нагрузочным несовпадениям.
• Надежность и долговечность благодаря использованию технологии LDMOS.

Недостатки

• Сравнительно высокая цена в сравнении с компонентами низкой мощности.
• Требует соблюдения условий монтажа и охлаждения для максимальной эффективности и долговечности.

Типовое использование

• Усилители мощности для базовых станций сотовой связи.
• Передатчики радиочастотных сигналов.
• Системы радиолокации и радионавигации.
• Приложения для беспроводной связи.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте надлежащее охлаждение через соответствующий теплоотвод для поддержания стабильной работы компонента.
• Используйте качественную высокочастотную печатную плату для минимизации потерь сигнала и повышения эффективности.
• Регулярно проверяйте параметры нагрузки, чтобы избежать ситуации несоответствия, которые могут повлиять на производительность.

Основные технические характеристики

• Частота работы: до 3.5 ГГц
• Коэффициент усиления: 12.5 дБ
• Рабочее напряжение: 50 В
• Ток при тестировании: 330 мА
• Выходная мощность: до 100 Вт
• Номинальное напряжение: 150 В
• Тип корпуса: SOT-1228A
• Тип монтажа: на шасси

Возможные аналоги

• MRF8S9260HS от NXP: аналогичный высокочастотный MOSFET с похожими характеристиками.
• BLF888A от Ampleon: MOSFET с подобной выходной мощностью и коэффициентом усиления.

Интернет-магазин электронных компонентов предлагает CLF1G0035-100P от NXP по конкурентоспособным ценам, с быстрой доставкой и гарантией качества.