BQ4013MA-120

3 537,60 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BQ4013MA-120 от Texas Instruments

Общее описание

BQ4013MA-120 – это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) на 1Мбит от компании Texas Instruments. Данный компонент объединяет в себе преимущества быстродействующей оперативной памяти и энергонезависимость, что обеспечивает надежность сохранения данных даже при отключении питания.

Преимущества

  • Энергонезависимость: память сохраняет данные даже после выключения питания.
  • Быстрый доступ: время доступа составляет 120 нс, что позволяет использовать компонент в высокоскоростных приложениях.
  • Питание от батареи: встроенная литиевая батарея гарантирует сохранность данных на срок до 10 лет.
  • Простота интеграции: стандартный корпус DIP-32 облегчает интеграцию в существующие схемы.

Недостатки

  • Большой форм-фактор: корпус DIP-32 занимает больше места на плате по сравнению с современными компактными корпусами.
  • Ограниченный диапазон рабочих температур: подходит для использования только при температуре от 0°C до 70°C.

Типовое использование

  • Автоматизация и управление: хранение конфигурационных данных и параметров.
  • Медицинские устройства: сохранение важных медицинских данных.
  • Промышленные системы: поддержка оперативного хранения данных в реальном времени.

Рекомендации по применению

  • Запасное питание: убедитесь, что у вас есть резервные источники питания для длинных периодов отключений.
  • Хранение и эксплуатация: соблюдайте температурные режимы и избегайте экстремальных условий.
  • Совместимость: проверьте совместимость с основной схемой и используемыми компонентами, чтобы избежать возможных сбоев.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (энергонезависимая SRAM)
  • Объем памяти: 1Мбит
  • Организация памяти: 128К x 8
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи: 120 нс
  • Время доступа: 120 нс
  • Напряжение питания: 4.75V ~ 5.5V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: DIP-32 (размеры 18.42x42.8 мм)

Возможные аналоги

  • CY14B101LA от Cypress
  • M48Z08 от STMicroelectronics
  • FM16W08 от Ramtron (Cypress)

Использование BQ4013MA-120 от Texas Instruments обеспечит надежное хранение данных в различных приложениях, требующих быстрый и надежный доступ к памяти.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4013MA-120-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mbit Parallel 120 ns 32-DIP Module (18.42x42.8) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4013; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 1Mbit Memory Organization: 128K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Access Time: 120 ns Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК