BQ4011YMA-70

4 744,80 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BQ4011YMA-70 от Texas Instruments

Общее описание

BQ4011YMA-70 представляет собой энергонезависимую статическую оперативную запоминающую память (NVSRAM) от компании Texas Instruments. Она сочетает в себе высокую скорость и низкое энергопотребление обычной SRAM с постоянной памятью, что достигается благодаря встроенной резервной батарее и контроллеру.

Преимущества

  • Высокая скорость: Время доступа и записи составляет всего 70 нс.
  • Энергонезависимость: Данные сохраняются на длительное время даже при отключении питания благодаря встроенной резервной батарее.
  • Простота использования: Параллельный интерфейс обеспечивает легкость интеграции в существующие системы.
  • Низкое энергопотребление: Идеально подходит для применения в резервных системах и устройствах с ограниченным энергопотреблением.

Недостатки

  • Температурные ограничения: Рабочий диапазон температур ограничен от 0°C до 70°C, что может быть недостатком для некоторых промышленных приложений.
  • Устаревший компонент: Существует вероятность, что компонент снят с производства.

Типовое использование

  • Системы с резервированием данных: Идеален для применения в системах, где требуется долговременное хранение данных при отключении питания, например, в роутерах, модемах и других сетевых устройствах.
  • Промышленные контроллеры: Используется в составе промышленных систем управления для хранения критически важных данных.
  • Энергетическое оборудование: Применяется в различных устройствах, требующих минимального энергопотребления и высокой скорости работы памяти.

Рекомендации по применению

  • Встроенные системы: Подходит для применения в встраиваемых системах, где необходимо быстродействие и надежное хранение данных.
  • Широкий диапазон приложений: Рекомендован для использования в самых разных областях от бытовой электроники до промышленного оборудования.
  • Резервные системы: Обеспечивает надежное хранение данных при отключении питания, что делает его подходящим для использования в критически важных приложениях.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 256Kbit (32K x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 70 нс
  • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип монтажа: Сквозное отверстие (Through Hole)
  • Корпус: 28-DIP (18.42x37.72 мм)

Возможные аналоги

  • BQ4010YMA-70: Комплектующий с похожими характеристиками.
  • CY14B256K-SP25XI: Память от Cypress с аналогичным объемом и интерфейсом.
  • FM1808-70-PG: Альтернативный вариант от компании Ramtron.

Этот компонент обеспечивает высокое быстродействие и надежное посредничество между SRAM и резервной памятью, что делает его идеальным выбором для различных критически важных приложений.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4011YMA-70-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kbit Parallel 70 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4011; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 256Kbit Memory Organization: 32K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Access Time: 70 ns Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК