BQ4011YMA-200

4 744,80 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BQ4011YMA-200 от Texas Instruments

Общее описание

BQ4011YMA-200 — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) объёмом 256Kбит (32K x 8) от компании Texas Instruments. Данный компонент имеет параллельный интерфейс и способен сохранять данные при отсутствии питания благодаря внедренной технологии NVSRAM. Микросхема выполнена в 28-контактном корпусе DIP (Dual In-line Package), что делает её удобной для использования в широком спектре приложений.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 200нс, что позволяет быстро выполнять чтение и запись данных.
  • Энергонезависимость: Способность сохранять данные при отключении питания обеспечивает надежное хранение важной информации.
  • Простота интеграции: Стандартный форм-фактор и параллельный интерфейс облегчают интеграцию в готовые схемы.

Недостатки

  • Устаревший компонент: Статус "Obsolete" может ограничивать доступность и поддержку данного компонента в будущем.
  • Рабочий диапазон температур: 0°C ~ 70°C может не подходить для экстремальных условий эксплуатации.

Типовое использование

  • Системы резервного копирования: Использование в устройствах, где требуется сохранение данных при сбоях питания.
  • Промышленные контроллеры: Может использоваться в системах автоматизации и управления.
  • Медицинское оборудование: Идеален для медицинских устройств, требующих надежного хранения данных.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте надлежащее охлаждение: Для оптимальной работы в указанном диапазоне температур.
  • Интеграция с подходящим источником питания: Поддерживайте напряжение питания в диапазоне 4.5В ~ 5.5В.
  • Минимизируйте воздействие электромагнитных помех: Для обеспечения стабильной работы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Non-Volatile SRAM (NVSRAM)
  • Объем памяти: 256Kбит (32K x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 200нс
  • Напряжение питания: 4.5В ~ 5.5В
  • Рабочий температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 28-DIP (Dual In-line Package)
  • Размеры корпуса: 18.42мм x 37.72мм

Возможные аналоги

  • Cypress CY7C1339D-100AXI: Подобная нерушимая статическая память с параллельным интерфейсом.
  • Maxim Integrated DS1644-120+: Альтернативный NVSRAM с аналогичными характеристиками.

Используйте данное описание для более подробного ознакомления с продуктом и его характеристиками перед покупкой в нашем интернет-магазине.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4011YMA-200-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kbit Parallel 200 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4011; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 256Kbit Memory Organization: 32K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Access Time: 200 ns Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК