BQ4011YMA-150

BQ4011YMA-150 от Texas Instruments

Общее описание: BQ4011YMA-150 – это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) от Texas Instruments, которая сочетает в себе преимущества SRAM и энергонезависимости. Она обеспечивает быстродействие и надежное хранение данных без необходимости постоянного питания.

Преимущества:

• Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания.
• Быстрое время доступа: Время доступа составляет всего 150 нс, что идеально подходит для применений с высокой скоростью.
• Простая интеграция: Стандартный корпус DIP-28 способствует легкости установки и замены.

Недостатки:

• Узкий диапазон рабочих температур: Рабочие температуры ограничены диапазоном от 0°C до +70°C, что может не подойти для всех промышленных применений.
• Устаревшая модель: На рынке могут быть доступны более современные аналоги с улучшенными характеристиками.

Типовое использование:

• Системы аварийного хранения данных.
• Средства автоматики и управление процессом.
• Оборудование связи и сетевые устройства.
• Промышленные и медицинские приборы.

Рекомендации по применению:

• Убедитесь, что напряжение питания находится в допустимом диапазоне 4.5В ~ 5.5В.
• Пайка и установка компонентов должны проводиться с учетом требований температурного режима.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Объем памяти: 256Кбит (32K x 8)
• Интерфейс: Параллельный
• Время цикла записи: 150 нс
• Время доступа: 150 нс
• Напряжение питания: 4.5В ~ 5.5В
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
• Корпус: DIP-28 (18.42 x 37.72 мм)
• Тип монтажа: Сквозной

Возможные аналоги:

• Cypress CY14B256LA-ZS25XI: Также представляет собой энергонезависимый SRAM с похожими характеристиками.
• STMicroelectronics M48T35Y-70PC1: Обладает схожими функциональными возможностями, но с несколько другим временем доступа.

BQ4011YMA-150 от Texas Instruments – это надежный компонент для приложений, требующих быстрого доступа к памяти и сохранения данных при отключении питания.