BQ4011MA-200

3 276,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BQ4011MA-200 от Texas Instruments

Общее описание

BQ4011MA-200 — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) с емкостью 256 Кбит, выполненная по технологии NVSRAM (Non-Volatile SRAM). Это устройство предназначено для сохранения данных даже при отключении питания, что достигается благодаря встроенному элементу памяти и контроллеру резервного питания.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Чтение и запись данных с временем доступа всего 200 нс.
  • Non-Volatile память: Сохранение данных при отключении питания.
  • Широкий диапазон напряжений питания: Устройство поддерживает работу в диапазоне 4,75В ~ 5,5В.
  • Удобство монтажа: 28-контактный корпус DIP (Dual In-line Package) способствует лёгкой установке на печатные платы.

Недостатки

  • Температурный диапазон: Ограниченный рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C.
  • Производство прекращено: Статус компонента устаревший (Obsolete), что может затруднить закупку.

Типовое использование

  • Системы резервного копирования данных
  • Промышленная автоматизация
  • Медицинские приборы
  • Оборудование для торговли
  • Встраиваемые системы

Рекомендации по применению

При использовании BQ4011MA-200 следует учитывать его ограниченный температурный диапазон и необходимость обеспечения стабильного напряжения питания. Компонент подходит для применений, где требуется быстродействующая память с возможностью сохранения данных при выключении устройства.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Емкость памяти: 256 Кбит (32К x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи: 200 нс
  • Время доступа: 200 нс
  • Напряжение питания: 4,75В ~ 5,5В
  • Рабочий температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
  • Монтаж: Сквозное отверстие (Through-Hole)
  • Корпус: 28-DIP (18,42 мм x 37,72 мм)

Возможные аналоги

  • BQ4010YMA-150 от Texas Instruments
  • X4045 от Intersil
  • DS1220-200 от Maxim Integrated

BQ4011MA-200 — это идеальное решение для проектов, требующих надежного сохранения данных при отключении питания и высокой скорости доступа к памяти.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4011MA-200-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kbit Parallel 200 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4011; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 256Kbit Memory Organization: 32K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Access Time: 200 ns Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК