BQ4011MA-150

4 744,80 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BQ4011MA-150 (Texas Instruments)

Общее описание

BQ4011MA-150 — это микросхема NVSRAM (Non-Volatile SRAM) от компании Texas Instruments, представляющая собой энергозависимую память с защитой от потери данных при отключении питания. Она объединяет в себе преимущества быстрого доступа SRAM и отсутствия необходимости в постоянном питании благодаря встроенной технологии сохранения данных.

Преимущества

  • Надёжность хранения данных: сохранение данных без постоянного питания.
  • Высокая скорость доступа и записи: время доступа всего 150 нс.
  • Удобный интерфейс: параллельный интерфейс для легкой интеграции в различные системы.
  • Компактность и простота монтажа: 28-выводной корпус DIP.

Недостатки

  • Ограниченный объем памяти: 256 Кбит (32K x 8).
  • Устаревшая модель: снята с производства, что может затруднить её приобретение.

Типовое использование

  • Системы с микроконтроллерами: для хранения критически важной информации при сбое питания.
  • Промышленное оборудование: для обеспечения надежного сохранения данных в автоматизированных системах.
  • Медицинское оборудование: для безопасности хранения данных о пациентах.

Рекомендации по применению

  • Использование RTC (Real-Time Clock): для синхронизации работы памяти с реальным временем.
  • Предусмотрение резервного питания: для увеличения времени хранения данных без внешнего питания.
  • EWS (Early Write Support): обеспечьте наличие внешней схемы контроля для защиты данных на этапе записи.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 256Кбит (32K x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 150 нс
  • Напряжение питания: 4.75V ~ 5.5V
  • Температурный диапазон: от 0°C до 70°C
  • Корпус: 28-выводной DIP модуль (18.42x37.72 мм)

Возможные аналоги

  • Cypress CY14B256K-SP25XI: NVSRAM, объем 256Кбит, параллельный интерфейс, 25 нс.
  • Simtek STK14C88-3: NVSRAM, объем 256Кбит, параллельный интерфейс, 70 нс.
  • Maxim DS1230Y-150+: NVSRAM, объем 256Кбит, параллельный интерфейс, 150 нс.

Заключение

BQ4011MA-150 от Texas Instruments является надежным вариантом для проектов, требующих сохранения данных без постоянного питания и высокой скорости доступа. Однако, учитывая снятие модели с производства, стоит рассмотреть её аналоги для новых разработок.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4011MA-150-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kbit Parallel 150 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4011; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 256Kbit Memory Organization: 32K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Access Time: 150 ns Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК