BQ4010YMA-85N

4 216,80 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BQ4010YMA-85N от Texas Instruments

Общее описание

BQ4010YMA-85N представляет собой энергонезависимую статическую оперативную память (NVSRAM) ёмкостью 64 Кбит от компании Texas Instruments. Это устройство сочетает в себе преимущества быстрого доступа SRAM и сохранение данных в случае отключения питания, предоставляя надежное хранение данных в различных приложениях.

Преимущества

  • Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания.
  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 85 нс, что обеспечивает быструю обработку данных.
  • Широкий диапазон питающего напряжения: Работоспособность при напряжении от 4.5 В до 5.5 В.
  • Надежное хранение данных: Идеально подходит для приложений, требующих сохранения данных при сбое питания.

Недостатки

  • Устаревший статус: Этот компонент является устаревшим, что может ограничить его доступность и поддержку в будущем.
  • Большой корпус: 28-DIP корпус занимает больше места по сравнению с современными SMD-компонентами.

Типовое использование

  • Промышленные контроллеры: Для сохранения критических данных конфигурации и параметров.
  • Энергетическое оборудование: Хранение данных об аварийных ситуациях и событиях.
  • Медицинское оборудование: Сохранение данных мониторинга и истории пациента.
  • Автомобильные системы: Хранение данных диагностики и конфигурации.

Рекомендации по применению

  • Убедитесь в наличии надежного источника напряжения 4.5 В – 5.5 В для стабильной работы устройства.
  • Изучите требования к компоновке и тепловому режиму, учитывая размеры и форм-фактор корпуса (28-DIP).
  • Рассмотрите альтернативу для современных проектов, поскольку данный компонент является устаревшим.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Энергонезависимая SRAM
  • Ёмкость: 64 Кбит (8К x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 85 нс
  • Питающее напряжение: 4.5 В – 5.5 В
  • Рабочая температура: -40°C до 85°C
  • Корпус: 28-DIP модуль (18.42x37.72 мм)

Возможные аналоги

  • Adesto Technologies AT45DB041E: 4-Мбит энергонезависимая серия памяти DataFlash.
  • Cypress CY14B101Q2A-SFXIT: 1-Мбит энергонезависимая SRAM с аналогичными характеристиками, но в меньшем корпусе.
Заключение

BQ4010YMA-85N от Texas Instruments является удобным решением для приложений, требующих быстрый доступ к памяти с надежным хранением данных при сбое питания. Несмотря на устаревший статус, этот компонент по-прежнему находит применение в ряде критически важных устройств.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4010YMA-85N-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 85 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4010; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 64Kbit Memory Organization: 8K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Access Time: 85 ns Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК