BQ4010YMA-85N
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
BQ4010YMA-85N от Texas Instruments
Общее описание
BQ4010YMA-85N представляет собой энергонезависимую статическую оперативную память (NVSRAM) ёмкостью 64 Кбит от компании Texas Instruments. Это устройство сочетает в себе преимущества быстрого доступа SRAM и сохранение данных в случае отключения питания, предоставляя надежное хранение данных в различных приложениях.
Преимущества
- Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания.
- Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 85 нс, что обеспечивает быструю обработку данных.
- Широкий диапазон питающего напряжения: Работоспособность при напряжении от 4.5 В до 5.5 В.
- Надежное хранение данных: Идеально подходит для приложений, требующих сохранения данных при сбое питания.
Недостатки
- Устаревший статус: Этот компонент является устаревшим, что может ограничить его доступность и поддержку в будущем.
- Большой корпус: 28-DIP корпус занимает больше места по сравнению с современными SMD-компонентами.
Типовое использование
- Промышленные контроллеры: Для сохранения критических данных конфигурации и параметров.
- Энергетическое оборудование: Хранение данных об аварийных ситуациях и событиях.
- Медицинское оборудование: Сохранение данных мониторинга и истории пациента.
- Автомобильные системы: Хранение данных диагностики и конфигурации.
Рекомендации по применению
- Убедитесь в наличии надежного источника напряжения 4.5 В – 5.5 В для стабильной работы устройства.
- Изучите требования к компоновке и тепловому режиму, учитывая размеры и форм-фактор корпуса (28-DIP).
- Рассмотрите альтернативу для современных проектов, поскольку данный компонент является устаревшим.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Энергонезависимая SRAM
- Ёмкость: 64 Кбит (8К x 8)
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Время доступа: 85 нс
- Питающее напряжение: 4.5 В – 5.5 В
- Рабочая температура: -40°C до 85°C
- Корпус: 28-DIP модуль (18.42x37.72 мм)
Возможные аналоги
- Adesto Technologies AT45DB041E: 4-Мбит энергонезависимая серия памяти DataFlash.
- Cypress CY14B101Q2A-SFXIT: 1-Мбит энергонезависимая SRAM с аналогичными характеристиками, но в меньшем корпусе.
Заключение
BQ4010YMA-85N от Texas Instruments является удобным решением для приложений, требующих быстрый доступ к памяти с надежным хранением данных при сбое питания. Несмотря на устаревший статус, этот компонент по-прежнему находит применение в ряде критически важных устройств.
Описание товара
- digikey: 2156-BQ4010YMA-85N-TI-ND
- Datasheet [2]: Перейти
- ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 85 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4010; Integrated Circuits (ICs); Memory
- parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 64Kbit Memory Organization: 8K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Access Time: 85 ns Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.