BQ4010YMA-85
Описание
BQ4010YMA-85 от Texas Instruments
Общее описание
BQ4010YMA-85 — это интегральная микросхема NVSRAM (Non-Volatile SRAM) объемом в 64 Кбит, предназначенная для хранения данных с технологией энергонезависимой памяти. Этот компонент обеспечивает высокую скорость доступа и организации памяти 8К x 8 бит с параллельным интерфейсом.
Преимущества
- Высокая скорость доступа: Времена доступа и записи составляют всего 85 нс, что позволяет быстро и эффективно работать с данными.
- Энергонезависимость: Данные сохраняются после выключения питания, обеспечивая надежность хранения.
- Простая интеграция: Параллельный интерфейс и выводы в корпусе 28-DIP облегчают интеграцию в различные схемы и устройства.
Недостатки
- Устаревшая модель: Выпуск данной микросхемы прекращен, что может затруднить ее покупку и поддержку в будущем.
- Ограниченный температурный диапазон: Рабочая температура от 0°C до 70°C, что может быть недостаточно для некоторых промышленных применений.
Типовое использование
- Промышленные системы управления
- Системы аварийного резервного копирования данных
- Программируемые логические контроллеры (ПЛК)
- Энергонезависимая память для микроконтроллеров
Рекомендации по применению
Для обеспечения надежного хранения данных и долговечности микросхемы рекомендуется использовать стабилизированное питание в диапазоне 4.5В – 5.5В. Также учитывайте ограниченный температурный диапазон рабочей среды.
Основные технические характеристики
- Объем памяти: 64Кбит (8K x 8)
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Время доступа: 85 нс
- Время записи: 85 нс
- Напряжение питания: 4.5В – 5.5В
- Рабочая температура: 0°C – 70°C
- Корпус: 28-DIP (18.42 мм x 37.72 мм)
Возможные аналоги
- DS1230Y-85 от Maxim Integrated: 64Kbit NVSRAM с аналогичными характеристиками
- FM1608-120-PG от Cypress Semiconductor: 64Kbit NV-FRAM с улучшенными временными характеристиками
- CY14B101L-SZ45XI от Cypress: 128Kbit NVSRAM с расширенным температурным диапазоном
Заключение
BQ4010YMA-85 от Texas Instruments является надежной энергонезависимой SRAM микросхемой с высокими скоростными характеристиками. Однако, в связи с устареванием модели, стоит рассмотреть доступность и возможные аналоги для новых проектов.
Описание товара
- digikey: 2156-BQ4010YMA-85-TI-ND
- Datasheet [2]: Перейти
- ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 85 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4010; Integrated Circuits (ICs); Memory
- parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 64Kbit Memory Organization: 8K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Access Time: 85 ns Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.