BQ4010YMA-70N

3 163,20 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BQ4010YMA-70N от Texas Instruments

Общее описание

BQ4010YMA-70N - это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) с объемом 64Kбит (8K x 8) от Texas Instruments. Этот компонент сочетает в себе быстродействие статической памяти (SRAM) и долговременное хранение данных без энергопитания, характерное для энергонезависимой памяти.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет 70 нс, что обеспечивает быструю обработку данных.
  • Энергонезависимость: Данные сохраняются без необходимости в постоянном питании.
  • Удобный интерфейс: Параллельный интерфейс упрощает интеграцию в различные схемы.
  • Широкий диапазон температур: Работает в диапазоне температур от -40°C до 85°C, что делает его подходящим для использования в различных условиях.

Недостатки

  • Устаревший компонент: Статус "Obsolete" указывает на то, что компонент больше не производится и имеет ограниченную доступность.
  • Требуется 5V питание: Для работы необходим источник питания с напряжением 4.5V до 5.5V, что может не подойти для всех приложений.

Типовое использование

  • Системы реального времени: Из-за своей энергонезависимости NVSRAM идеально подходит для приложений, где важно сохранить данные при отключении питания.
  • Автоматизация и управление: Используется в промышленных системах для хранения критически важных данных.
  • Военная и аэрокосмическая техника: Высокая надежность хранения данных без питания и широкий диапазон рабочих температур делают его подходящим для тяжелых условий эксплуатации.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте надежное подключение к источнику питания, соответствующее указанным характеристикам.
  • При проектировании учитывайте ограниченную доступность и планируйте возможный переход на более современные компоненты.
  • Проверьте совместимость с вашими системными требованиями, особенно по напряжению и температурному режиму.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM)
  • Объем памяти: 64Kбит (8K x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Максимальное время доступа: 70 нс
  • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
  • Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
  • Размер корпуса: 28-DIP (18.42x37.72 мм)
  • Монтаж: Сквозное отверстие

Возможные аналоги

  • DS1225Y-70 от Maxim Integrated: Обладает схожими характеристиками и может рассматриваться как возможная замена.
  • CY62256NLL-70SC от Cypress Semiconductor: Также является NVSRAM с схожими параметрами, однако уточните возможности и спецификации перед заменой.

Этот компонент полезен для дизайнов, требующих надежного хранения данных при отсутствии питания и быстрого доступа к данным в широком диапазоне условий эксплуатации.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4010YMA-70N-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 70 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4010; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 64Kbit Memory Organization: 8K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Access Time: 70 ns Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК