BQ4010YMA-70

3 163,20 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Описание для интернет-магазина: BQ4010YMA-70 от Texas Instruments

Общее описание

BQ4010YMA-70 - это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) на 64Kбит, представленная компанией Texas Instruments. Она комбинирует высокоскоростную статическую оперативную память (SRAM) с энергонезависимой памятью, что позволяет сохранить данные при отсутствии внешнего питания. Память имеет параллельный интерфейс и находится в корпусе 28-DIP.

Преимущества

  • Энергонезависимость: сохраняет данные даже при отсутствии питания.
  • Быстрое время доступа: всего 70 наносекунд.
  • Удобный параллельный интерфейс.
  • Простота интеграции благодаря корпусу через отверстие (Through Hole).

Недостатки

  • Устаревшая модель: текущий статус компонента - прекращен выпуск, что может усложнять поиск аналогов и новых партий.

Типовое использование

  • Промышленные контроллеры.
  • Системы с высокой надежностью хранения данных.
  • Приложения, чувствительные к потере данных при отключении электроэнергии.

Рекомендации по применению

  • Рекомендуется использовать в приложениях, где необходимо сохранять данные при отключении питания.
  • При проектировании учитывайте параметры питания и теплового режима для обеспечения стабильной работы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM).
  • Объем памяти: 64Кбит (8K x 8).
  • Интерфейс памяти: Параллельный.
  • Время доступа: 70 наносекунд.
  • Напряжение питания: 4.5V - 5.5V.
  • Диапазон рабочих температур: 0°C до 70°C.
  • Корпус: 28-DIP Module (размеры: 18.42мм x 37.72мм).

Возможные аналоги

  • CY62256NLL-70ZRI от Cypress Semiconductor: предоставляет схожий функционал, но в корпусе SOIC.
  • X28C256P-20 от Intersil: EEPROM память с аналогичными свойствами, но меньшим временем доступа и другим корпусом.

Заключение

BQ4010YMA-70 от Texas Instruments является надежным решением для хранения данных в критически важных приложениях. Несмотря на прекращение выпуска, данные модули могут оставаться полезными для ремонта и модернизации существующих систем. Однако при новых разработках рекомендуется искать более современные замены.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4010YMA-70-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 70 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4010; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 64Kbit Memory Organization: 8K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Access Time: 70 ns Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК