BQ4010YMA-200

4 216,80 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BQ4010YMA-200 от Texas Instruments

Общее описание:

BQ4010YMA-200 — это микросхема энергонезависимой оперативной памяти (NVSRAM) от компании Texas Instruments. Объем памяти составляет 64 килобита (8K x 8), что позволяет хранить данные даже при отключении питания. NVSRAM объединяет в себе преимущества быстрого доступа и энергонезависимости.

Преимущества:

  • Энергонезависимость: сохранение данных при отключении питания.
  • Быстрый доступ: время доступа составляет 200 ns, что позволяет обеспечить высокую скорость операций чтения и записи.
  • Простота интеграции: параллельный интерфейс для легкой интеграции в различные системы.
  • Стабильная работа: работает в широком диапазоне температур (0°C ~ 70°C).

Недостатки:

  • Устаревшая модель: статус микросхемы — устаревшая (Obsolete), что может затруднять её приобретение и техническую поддержку.
  • Потребление энергии: постоянное энергопотребление даже в режиме ожидания.

Типовое использование:

  • Промышленные системы контроля и мониторинга
  • Медицинские устройства
  • Автомобильные системы
  • Устройства хранения данных
  • Встроенные системы

Рекомендации по применению:

  • Использовать в системах, где требуется высокая скорость доступа и надежное сохранение данных при отключении питания.
  • Обеспечить надлежащие условия монтажа для долгосрочной и стабильной работы компонента.
  • Учитывать статус устаревшего компонента при разработке новых систем и искать возможные аналоги для долгосрочной поддержки.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 64 килобита (8K x 8)
  • Интерфейс памяти: параллельный
  • Время цикла записи: 200 ns
  • Время доступа: 200 ns
  • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
  • Диапазон рабочих температур: 0°C ~ 70°C
  • Тип монтажа: сквозное (Through Hole)
  • Корпус: 28-DIP (Dual In-line Package) модуль (18.42x37.72 мм)

Возможные аналоги:

  • Fujitsu MB85RS64V: 64Kb FRAM, SPI интерфейс
  • Cypress CY14B101Q2: 1Mb NVSRAM, параллельный интерфейс

Заключение

BQ4010YMA-200 от Texas Instruments — это надежное решение для приложений, требующих энергонезависимой памяти с высоким временем доступа. Однако, статус устаревшего компонента требует внимания при планировании долгосрочных проектов.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4010YMA-200-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 200 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4010; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 64Kbit Memory Organization: 8K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Access Time: 200 ns Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК