BQ4010MA-70

4 216,80 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BQ4010MA-70 от Texas Instruments

Общее описание

BQ4010MA-70 - это энергонезависимая статическая память (NVSRAM) с емкостью 64 Кбит от компании Texas Instruments. Устройство объединяет быструю SRAM и долговечные неэнергозависимые элементы памяти, что позволяет сохранить данные даже при отключении питания. Память организована по схеме 8K x 8, выполняет параллельный доступ и обеспечивает время доступа 70 нс.

Преимущества

  • Энергонезависимость: Данные сохраняются при потере питания.
  • Высокая скорость: Время доступа к данным составляет всего 70 нс.
  • Совместимость с DIL-28 корпусом: Удобство интеграции в стандартные печатные платы.
  • Длительный срок службы: Надёжные характеристики хранения данных продлевают срок службы устройства.

Недостатки

  • Обусловленная архитектура: Не подходит для крайне малогабаритных приложений, где требуется минимизация пространства.
  • Ограниченная емкость: 64 Кбит может быть недостаточно для некоторых высокоемкостных приложений.

Типовое использование

  • Микроконтроллерные системы: Для хранения данных конфигурации, которые должны сохраняться между перезапусками.
  • Устройства телекоммуникаций: Использование в системах для буферизации данных.
  • Системы управления процессами: Хранение критически важных данных в промышленных приложениях.

Рекомендации по применению

  • Проектирование схем: Рекомендуется размещение в непосредственной близи от процессора, чтобы минимизировать задержки передачи данных.
  • Требования по электропитанию: Обеспечьте стабильность напряжения питания в диапазоне 4.75В - 5.5В для корректной работы.
  • Температурные условия: Устройство рассчитано на эксплуатацию в диапазоне температур от 0°C до 70°C, поэтому следует избегать температурных экстремумов.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Независимая статическая ОЗУ)
  • Объем памяти: 64 Кбит
  • Организация памяти: 8K x 8
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 70 нс
  • Напряжение питания: 4.75V ~ 5.5V
  • Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 28-DIP Module (18.42x37.72 мм)

Возможные аналоги

  • FM1608-PG от IDT (Integrated Device Technology): Высокоскоростная NVSRAM.
  • X28HC64JI-20 от Intersil: Аналогичной емкости энергонезависимая статическая память.

BQ4010MA-70 от Texas Instruments - это надежное решение для хранения данных, требующее энергонезависимости и быстрого доступа.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4010MA-70-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 70 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4010; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 64Kbit Memory Organization: 8K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Access Time: 70 ns Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК