BQ4010MA-200

4 216,80 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Описание для BQ4010MA-200 от Texas Instruments

Общее описание: BQ4010MA-200 - это NVSRAM (Non-Volatile SRAM) память от Texas Instruments. Этот 64Кбит параллельный NVSRAM обеспечивает высокую скорость доступа и сохранение данных без необходимости постоянного питания.

Преимущества:

  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 200нс.
  • Надежность хранения данных: NVSRAM сохраняет данные при отключении питания.
  • Удобство интеграции: CMOS технология обеспечивает низкое энергопотребление.
  • Широкий диапазон напряжения питания: От 4,75В до 5,5В, что позволяет использовать его в различных системах.

Недостатки:

  • Устаревшая модель: Модель находится в статусе "Obsolete", что означает, что она больше не производится.
  • Ограниченный температурный диапазон: Рабочий диапазон температур от 0°C до 70°C может быть недостаточен для некоторых промышленных применений.

Типовое использование:

  • Промышленные контроллеры
  • Хранение конфигурационных данных
  • Автоматизированные тестовые системы
  • Энергонезависимые регистры событий

Рекомендации по применению:

  • Обеспечьте надёжное питание: Хотя NVSRAM сохраняет данные при отключении питания, для нормальной работы необходимо стабильное питание в рабочем диапазоне от 4,75В до 5,5В.
  • Следите за температурой: Учитывайте рабочий диапазон температур (0°C ~ 70°C) при проектировании систем.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объём памяти: 64Кбит (8К x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время записи (на слово): 200нс
  • Время доступа: 200нс
  • Напряжение питания: 4,75В ~ 5,5В
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Тип корпуса: 28-DIP (18.42x37.72 мм)
  • Монтаж: Через отверстия (Through Hole)

Возможные аналоги:

  • BQ4010YMA-200 (с более широким температурным диапазоном)
  • Cypress CY14E256LA (256Кбит NVSRAM, параллельный интерфейс)
  • Maxim DS1225Y-200 (64Кбит NVSRAM, параллельный интерфейс)

Заключение

BQ4010MA-200 от Texas Instruments является надёжным решением для энергонезависимого хранения данных с быстрым доступом, хоть и морально устарело, оно всё ещё может быть полезно в различных применениях благодаря своим характеристикам и производительности.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4010MA-200-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 200 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4010; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 64Kbit Memory Organization: 8K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Access Time: 200 ns Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК