BQ4010MA-150

4 216,80 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BQ4010MA-150 – Texas Instruments

Общее описание:
BQ4010MA-150 – это 64Кбит NVSRAM (Non-Volatile SRAM) от компании Texas Instruments. Этот тип памяти сочетает в себе высокую скорость стандартной SRAM и устойчивость к потере данных, характерную для энергонезависимых устройств. Устройство поставляется в корпусе 28-DIP и использует параллельный интерфейс для передачи данных.

Преимущества:

  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 150 нс.
  • Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания.
  • Удобное использование: Параллельный интерфейс упрощает интеграцию в системы.

Недостатки:

  • Устаревший статус: Устройство считается устаревшим и может быть снято с производства, что затрудняет поиск аналогов в будущем.
  • Высокое энергопотребление: Типичное для SRAM-памяти.

Типовое использование:

  • Промышленные контроллеры: Для сохранения критически важных данных при отключении питания.
  • Медицинское оборудование: Для обеспечения сохранности данных пациентов и исследований.
  • Системы автоматизации: В условиях, где важно быстрое восстановление данных после перезапуска системы.

Рекомендации по применению:

  • Питание: Обеспечьте стабильное питание в диапазоне от 4.75V до 5.5V.
  • Температурные условия: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C.
  • Интерфейс: Используйте параллельный интерфейс для интеграции в вашу схему.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 64Кбит (8К x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 150 нс
  • Время записи: 150 нс
  • Напряжение питания: 4.75V ~ 5.5V
  • Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
  • Монтаж: Сквозное крепление
  • Корпус: 28-DIP (18.42x37.72 мм)

Возможные аналоги:

  • Cypress CY14B104L-SP45XIT
  • STMicroelectronics M48T35Y-85PM1
  • Maxim Integrated DS1230Y-120+

Устройство BQ4010MA-150 является надежным выбором для приложений, где требуется быстрая и энергонезависимая оперативная память. Тем не менее, из-за устаревшего статуса рекомендуется заранее рассмотреть доступные аналоги и их применимость для вашего проекта.

Описание товара

  • digikey: 2156-BQ4010MA-150-TI-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DetailedDescription: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 150 ns 28-DIP Module (18.42x37.72) Status: Obsolete Category: Texas Instruments; Rochester Electronics, LLC; BQ4010; Integrated Circuits (ICs); Memory
  • parameters2: DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size: 64Kbit Memory Organization: 8K x 8 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Access Time: 150 ns Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК