BQ4010LYMA-70N

BQ4010LYMA-70N

Общее описание

BQ4010LYMA-70N - это энергозависимая статическая оперативная память (NVSRAM) емкостью 64 килобита от Texas Instruments. Данная микросхема сочетает в себе преимущества статической оперативной памяти (SRAM) с долговременным хранением данных, обеспечиваемым встроенной литиевой батареей и энергозависимой памятью. Это позволяет использовать устройство в условиях, где необходимость частых перезаписей данных сочетается с требованием их сохранности при выключении питания.

Преимущества

• Надежность данных: Встроенная литиевая батарея обеспечивает сохранность данных в течение длительного времени.
• Высокая скорость доступа: Время доступа составляет 70 нс, что позволяет значительно повысить производительность системы.
• Широкий температурный диапазон: Операционный температурный диапазон от -40°C до 85°C, что делает устройство подходящим для использования в экстремальных условиях.

Недостатки

• Устаревшая модель: Компонент имеет статус "obsolete" (снятый с производства), что может затруднить его приобретение и поддержку в будущем.
• Ограниченная емкость: Емкость микросхемы составляет 64 килобита, что может быть недостаточно для современных приложений.

Типовое использование

BQ4010LYMA-70N широко используется в следующих областях:

• Системы автоматического управления
• Промышленная автоматика
• Медицинское оборудование
• Устройства хранения данных в реализованном виде
• Встроенные системы, требующие быстрого доступа к данным и их сохранности при выключении питания.

Рекомендации по применению

• Питание: Внимательно следите за напряжением питания в пределах 3В - 3.6В, чтобы обеспечить стабильную работу устройства.
• Монтаж: Компонент поставляется в корпусе 28-DIP, что требует соответствующего разъема или пайки в печатную плату.
• Замена: При проектировании новых устройств рекомендуется рассмотреть современные аналоги NVSRAM или другие энергозависимые памяти с большей емкостью и лучшей доступностью.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Емкость памяти: 64Kбит (8K x 8)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время доступа: 70 нс
• Напряжение питания: 3В - 3.6В
• Температурный диапазон: -40°C до 85°C
• Корпус: 28-DIP (18.42 x 37.72 мм)

Возможные аналоги

• CY14B101LA-ZS35XI от Cypress Semiconductor - 1Мбит NVSRAM с аналогичными временными характеристиками и параллельным интерфейсом.
• FM24C64B-G от RAE Microelectronics - 64Кбит FRAM с серийным интерфейсом, подходящий для аналогичных применений.
• IS62WV2568BLL-55TL от ISSI - 256Кбит статической RAM, но без встроенного энергозависимого хранения данных.

Используйте BQ4010LYMA-70N для оптимизации систем, требующих надежного сохранения данных при потере питания, но при проектировании новых устройств рассматривайте обновленные решения с улучшенными характеристиками.