BLS9G2934L-400U

51 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLS9G2934L-400U от Ampleon

Общее описание

BLS9G2934L-400U — это мощный высокочастотный MOSFET транзистор, изготовленный по LDMOS технологии. Он предназначен для использования в передающих устройствах, работающих в диапазоне частот от 2,9 ГГц до 3,4 ГГц. Этот компонент обеспечивает выходную мощность до 400 Вт и имеет усиление 12 дБ при работе на напряжении 32 В.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 400 Вт, что делает транзистор идеальным для мощных передающих устройств.
  • Широкий диапазон частот: От 2,9 ГГц до 3,4 ГГц, что позволяет использовать этот компонент в различных ВЧ приложениях.
  • Высокое усиление: Усиление 12 дБ при напряжении 32 В.
  • Надежная LDMOS технология: Обеспечивает стабильность и долговечность в различных условиях эксплуатации.

Недостатки

  • Энергопотребление: Высокая мощность требует значительных энергетических ресурсов.
  • Тепловыделение: Необходимо предусмотреть адекватное охлаждение для предотвращения перегрева.

Типовое использование

  • Базовые станции: Используется в передающих модулях базовых станций для телекоммуникационных сетей.
  • Радиопередатчики: Применяется в мощных радиопередатчиках и ретрансляторах.
  • РЛС и радиолокационные системы: Идеален для использования в радиолокационных системах и других высокочастотных устройствах.

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Важно обеспечить достаточное охлаждение, чтобы избежать перегрева и поддержания стабильной работы транзистора.
  • Управление энергопотреблением: Необходимо учитывать высокое энергопотребление данного компонента при проектировании питания устройства.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: 2,9 ГГц - 3,4 ГГц
  • Усиление: 12 дБ
  • Выходная мощность: 400 Вт
  • Напряжение на выходе при тестировании: 32 В
  • Ток при тестировании: 400 мА
  • Корпус: SOT502A
  • Технология: LDMOS
  • Максимальное рабочее напряжение: 65 В

Возможные аналоги

  • BLF8G27LS-160BV от NXP Semiconductors
  • MRF8S9260HSR3 от NXP Semiconductors
  • PTFB212503EH от Infineon Technologies

Этот транзистор представляет собой мощное решение для высокочастотных передающих устройств, обеспечивая высокую производительность и надежность.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК