BLS9G2731LS-400U

68 400,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLS9G2731LS-400U от Ampleon

Общее описание

BLS9G2731LS-400U — это мощный RF MOSFET, изготовленный по технологии LDMOS, предназначенный для работы в диапазоне частот от 2.7 ГГц до 3.1 ГГц. Этот компонент обеспечивает выходную мощность до 400 Вт и имеет коэффициент усиления 13 дБ при тестовом напряжении 32 В. Корпус устройства выполнен в форм-факторе SOT502B.

Преимущества

  • Высокая мощность: Выходная мощность до 400 Вт делает этот MOSFET идеальным для высокоинтенсивных применений.
  • Надежность и стабильность: Технология LDMOS обеспечивает превосходные рабочие характеристики и долговременную надежность.
  • Компактность: Корпус SOT502B позволяет использовать данный компонент в компактных устройствах.

Недостатки

  • Цена: Высокая мощность и высокие частотные характеристики могут сделать компонент более дорогим по сравнению с альтернативами.
  • Теплоотдача: Высокая мощность требует хорошего теплового управления для предотвращения перегрева.

Типовое использование

  • Радиочастотные усилители: Идеален для применения в передатчиках базовых станций, ретрансляторах и других высокочастотных усилителях.
  • Военные и авиационные приложения: Благодаря высокой мощности и надёжности может использоваться в специализированных устройствах.
  • Коммерческое и промышленное оборудование: Применим в сложных радиочастотных системах и устройствах.

Рекомендации по применению

  • Теплоотвод: Используйте эффективные радиаторы или тепловые подложки для отвода лишнего тепла.
  • Компонентная база: Убедитесь, что остальная часть схемы соответствует требованиям работы на высоких частотах и мощностях.
  • Экранирование: Правильно экранируйте компоненты схемы для минимизации помех и повышения стабильности работы.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Диапазон рабочих частот: 2.7 ГГц ~ 3.1 ГГц
  • Коэффициент усиления: 13 дБ
  • Тестовое напряжение: 32 В
  • Ток в состоянии готовности: 4 мкА
  • Тестовый ток: 400 мА
  • Выходная мощность: 400 Вт
  • Напряжение: 65 В
  • Тип монтажа: Корпусной монтаж
  • Корпус / Пакет: SOT502B

Возможные аналоги

  • BLF8G27LS-160: Менее мощный аналог, предоставляющий выходную мощность до 160 Вт, который может быть использован для менее требовательных приложений.
  • MRFE6VP61K25H: Высокочастотный MOSFET с максимальной мощностью до 1250 Вт для различных радиочастотных применений.

Если у вас остались вопросы или требуется дополнительная информация, пожалуйста, обратитесь к нашим специалистам.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК