BLS7G2933S-150,112

Описание BLS7G2933S-150,112 от NXP

Общее описание

BLS7G2933S-150,112 – это мощный транзистор LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) для работы на высоких частотах (RF). Этот транзистор разработан компанией NXP и идеально подходит для применения в устройствах, требующих подачи сигнала на частоте от 2.9 ГГц до 3.3 ГГц. Он обеспечивает выходную мощность до 150 Вт, что делает его отличным выбором для усилителей мощности базовых станций.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Максимальная выходная мощность составляет 150 Вт.
• Широкий частотный диапазон: Продукт работает на частоте от 2.9 до 3.3 ГГц.
• Высокая надежность: Конструкция LDMOS обеспечивает длительный срок службы и стабильность характеристик.
• Эффективность усиления: Коэффициент усиления составляет 13.5 дБ при номинальных условиях.
• Простота монтажа: Корпус CDFM2 удобен для монтажа на шасси.

Недостатки

• Высокая потребляемая мощность: С увеличением выходной мощности повышаются требования к теплоотведению и электропитанию.
• Чувствительность к статическому электричеству: Транзистор требует осторожного обращения для предотвращения повреждений от электростатического разряда (ESD).

Типовое использование

• Усилители мощности для базовых станций.
• Передатчики телекоммуникационных систем.
• Усилительные тракты для телерадиовещательных станций.
• Высокочастотные промышленные и научные приложения.

Рекомендации по применению

• Теплоотведение: Используйте эффективные системы теплоотведения для обеспечения стабильной работы при высоких уровнях выходной мощности.
• Защита от ESD: Применяйте антистатические меры предосторожности при работе с транзистором.
• Правильное питание: Обеспечьте стабильное напряжение питания для достижения максимальной производительности.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: 2.9 ГГц ~ 3.3 ГГц
• Максимальная выходная мощность: 150 Вт
• Коэффициент усиления: 13.5 дБ
• Напряжение питания: 32 В
• Пиковое напряжение: 60 В
• Тестовый ток: 100 мА
• Корпус устройства: CDFM2

Возможные аналоги

• MRF6VP3450HR3 от NXP: Подобный транзистор LDMOS с высокой выходной мощностью, подходящий для аналогичных применений.
• BLF2047 от Ampleon: Другой мощный транзистор для высокочастотных приложений.

Заключение

BLS7G2933S-150,112 от NXP – это мощный и надежный транзистор LDMOS, идеально подходящий для использования в высокочастотных усилителях мощности. Его высокая выходная мощность и широкий частотный диапазон делают его отличным выбором для телекоммуникационных и телерадиовещательных приложений.