BLP27M810Z

5 047,20 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLP27M810Z от Ampleon

Общее описание

BLP27M810Z — это мощный RF MOSFET транзистор, разработанный для работы в диапазоне частот до 2,7 ГГц с выходной мощностью 8 Вт. Используя надежную LDMOS-технологию, этот транзистор обеспечивает высокую производительность и стабильность в различных приложениях, связанных с усилением радиочастотного сигнала.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 8 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных передатчиках.
  • Высокая линейность: Обеспечивает минимальные искажения сигнала.
  • Широкий диапазон частот: Подходит для использования в различных диапазонах от 30 МГц до 2700 МГц.
  • Превосходная термостабильность: Минимальные изменения производительности при изменении температуры.
  • Компактный корпус: 3-х контактный SOT1235 (LFPAK).

Недостатки

  • Сложность монтажа: Требуется тщательная пайка для обеспечения надежного соединения.
  • Необходимость в дополнительном охлаждении: Мощные транзисторы могут выделять много тепла.

Типовое использование

  • Базовые станции мобильной связи: Усиление сигнала в базовых станциях стандартов GSM, CDMA, LTE.
  • Радиопередатчики: Например, для аматорских радиостанций.
  • ВЧ усилители мощности: Используется в усилителях сигнала для различных радио- и телекоммуникационных устройств.

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Для достижения максимальной производительности рекомендуется использовать радиаторы или активные системы охлаждения.
  • Корректный монтаж: Обеспечьте правильный монтаж и пайку, чтобы избежать повреждения.
  • Защита от перенапряжения: Используйте защитные схемы для предотвращения повреждения от высоких напряжений.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: от 30 МГц до 2,7 ГГц
  • Выходная мощность: до 8 Вт
  • Коэффициент усиления: 17 дБ при 2.65 ГГц
  • Напряжение питания (Vds): 28 В
  • Ток покоя (Idq): 110 мА
  • Корпус: SOT1235 (LFPAK)

Возможные аналоги

  • BLP8G22S-120AV: От компании Ampleon, предназначен для более высоких мощностей.
  • MRFE6VP5600H: От компании NXP Semiconductors, с высокой выходной мощностью.
  • MRF8S9260HSR3: От компании Freescale Semiconductor, для широкополосных применений.

Этот транзистор идеально подходит для тех, кто нуждается в надежной и мощной усилительной системе для своего оборудования. Сочетание высоких характеристик и технологий делает его отличным выбором для различных радиочастотных применений.

Описание товара

  • digikey: 1603-1032-2-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: RF MOSFET LDMOS 28V 16HVSON DetailedDescription: RF Mosfet 28 V 110 mA 2.14GHz 17dB 2W 16-HVSON (6x4) Status: Obsolete Category: Ampleon USA Inc.; Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®; Discrete Semiconductor Products; Transistors; FETs, MOSFETs; RF FETs, MOSFETs
  • parameters2: Technology: LDMOS Configuration: Dual, Common Source Frequency: 2.14GHz Gain: 17dB Voltage - Test: 28 V Current Rating (Amps): - Noise Figure: - Current - Test: 110 mA Power - Output: 2W Voltage - Rated: 65 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-VDFN Exposed Pad Supplier Device Package: 16-HVSON (6x4)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК