BLP27M810Z
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
BLP27M810Z от Ampleon
Общее описание
BLP27M810Z — это мощный RF MOSFET транзистор, разработанный для работы в диапазоне частот до 2,7 ГГц с выходной мощностью 8 Вт. Используя надежную LDMOS-технологию, этот транзистор обеспечивает высокую производительность и стабильность в различных приложениях, связанных с усилением радиочастотного сигнала.
Преимущества
- Высокая выходная мощность: До 8 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных передатчиках.
- Высокая линейность: Обеспечивает минимальные искажения сигнала.
- Широкий диапазон частот: Подходит для использования в различных диапазонах от 30 МГц до 2700 МГц.
- Превосходная термостабильность: Минимальные изменения производительности при изменении температуры.
- Компактный корпус: 3-х контактный SOT1235 (LFPAK).
Недостатки
- Сложность монтажа: Требуется тщательная пайка для обеспечения надежного соединения.
- Необходимость в дополнительном охлаждении: Мощные транзисторы могут выделять много тепла.
Типовое использование
- Базовые станции мобильной связи: Усиление сигнала в базовых станциях стандартов GSM, CDMA, LTE.
- Радиопередатчики: Например, для аматорских радиостанций.
- ВЧ усилители мощности: Используется в усилителях сигнала для различных радио- и телекоммуникационных устройств.
Рекомендации по применению
- Охлаждение: Для достижения максимальной производительности рекомендуется использовать радиаторы или активные системы охлаждения.
- Корректный монтаж: Обеспечьте правильный монтаж и пайку, чтобы избежать повреждения.
- Защита от перенапряжения: Используйте защитные схемы для предотвращения повреждения от высоких напряжений.
Основные технические характеристики
- Частотный диапазон: от 30 МГц до 2,7 ГГц
- Выходная мощность: до 8 Вт
- Коэффициент усиления: 17 дБ при 2.65 ГГц
- Напряжение питания (Vds): 28 В
- Ток покоя (Idq): 110 мА
- Корпус: SOT1235 (LFPAK)
Возможные аналоги
- BLP8G22S-120AV: От компании Ampleon, предназначен для более высоких мощностей.
- MRFE6VP5600H: От компании NXP Semiconductors, с высокой выходной мощностью.
- MRF8S9260HSR3: От компании Freescale Semiconductor, для широкополосных применений.
Этот транзистор идеально подходит для тех, кто нуждается в надежной и мощной усилительной системе для своего оборудования. Сочетание высоких характеристик и технологий делает его отличным выбором для различных радиочастотных применений.
Описание товара
- digikey: 1603-1032-2-ND
- Datasheet [2]: Перейти
- ai2: ProductDescription: RF MOSFET LDMOS 28V 16HVSON DetailedDescription: RF Mosfet 28 V 110 mA 2.14GHz 17dB 2W 16-HVSON (6x4) Status: Obsolete Category: Ampleon USA Inc.; Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®; Discrete Semiconductor Products; Transistors; FETs, MOSFETs; RF FETs, MOSFETs
- parameters2: Technology: LDMOS Configuration: Dual, Common Source Frequency: 2.14GHz Gain: 17dB Voltage - Test: 28 V Current Rating (Amps): - Noise Figure: - Current - Test: 110 mA Power - Output: 2W Voltage - Rated: 65 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-VDFN Exposed Pad Supplier Device Package: 16-HVSON (6x4)
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.